[发明专利]一种精细线路封装基板及其制备方法有效
申请号: | 201510031873.3 | 申请日: | 2015-01-21 |
公开(公告)号: | CN104582332B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 崔永涛;谢添华;李志东 | 申请(专利权)人: | 广州兴森快捷电路科技有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 精细 线路 封装 及其 制备 方法 | ||
一种精细线路封装基板的制备方法,所述方法包括:将线路制作后的线路板,进行第一次胶渣去除处理并沉铜;对所述沉铜的线路板,进行贴干膜、曝光和显影处理;进行显影处理后,将所述线路板电镀铜;将所述电镀铜线路板第一次退膜后,进行第二次胶渣去除处理,再第二次退膜;将所述第二次退膜后的线路板,烘板、闪蚀形成线路。在本发明实施例中,通过在MSAP流程增加Desmear及退膜流程,能够完成制作L/S(线宽/线距)=20/20um甚至L/S(线宽/线距)=18/18um的精细线路,避免SAP流程中所涉及的特殊沉铜线药水、光成像的退膜药水及蚀刻药水以及特殊的板材所带来的成本,进而大大降低投资和生产成本。
技术领域
本发明涉及印制线路板技术领域,特别是涉及一种精细线路封装基板及其制备方法。
背景技术
随着芯片封装产业的不断发展及智能化设备功能逐渐强大,其体积逐渐变小的影响,对于芯片中的封装基板的尺寸及排线密集度也有了更高的要求。根据行业内对于基板中线路的要求,由普通的设计的35/35um演变为一般的25/25um以及正在使用的18/18um等的精细线路。
目前,普通的MSAP(Modified Semi-Additive Process,改良后的半加成法)流程能制作密集度为25/25um的线路,但对于更精细的线路在制作过程中存在一定的难度,针对超精细的线路行业内通用的流程为SAP(Semi-Additive Process,加成法)流程,SAP流程的主要特点是利用化学铜作为底铜,用作SAP的基材材料主要有两种:ABF(ajinomoto build-up film,专用的干膜型材料)和PCF(primer coated copper foil,涂层为铜的树脂材料)。现在SAP材料用的较为广泛的以ABF居多,其极限能力可达L/S(线宽/线距)=8/8um,但是采用该方法需要配备不同的沉铜药水、光成像退膜药水、蚀刻药水及特殊板材,对生产成本要求较高。
发明内容
基于此,有必要针对SAP流程中需要配备不同的沉铜药水、光成像退膜药水、蚀刻药水及特殊板材,使生产成本增加,而提供一种精细线路封装基板及其制备方法。
本发明实施例是这样实现的,一种精细线路封装基板的制备方法,所述方法包括:
将线路制作后的线路板,进行第一次胶渣去除处理并沉铜;
对所述沉铜的线路板,进行贴干膜、曝光和显影处理;
进行显影处理后,将所述线路板电镀铜;
将所述电镀铜线路板第一次退膜后,进行第二次胶渣去除处理,再第二次退膜;
将所述第二次退膜后的线路板,烘板、闪蚀形成线路。
在其中一个实施例中,所述第二次胶渣去除使用的药水成分包含:
160~200mL/L的Sweller E,40~55g/L的MnO4-,0~20g/L的MnO42-,30~45g/L的NaOH,60~80g/L的H2SO4,10~20ml/l的H2O2和0~20g/L Cu2+。
在其中一个实施例中,所述第二次退膜的参数具体为:
剥膜剂v/v8.0%~12.0%(浓度),剥膜促进剂v/v0.6%~1.0%(浓度),温度在48℃~52℃之间,喷压在0.14MPa~0.16MPa之间,H2SO4v/v 3~7%(浓度)。
在其中一个实施例中,所述贴干膜具体为:
所述贴附干膜在真空环境下进行,且所述干膜的厚度为25μm。
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