[发明专利]分离装置

说明书

本发明提供分离装置，其能够将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板。分离装置具备：支承基座，其具备以水平状态支承复合基板的支承面；侧面支承构件，其配设于该支承基座以支承复合基板的外周侧面；剥离构件，其插入第1基板和第2基板的边界部而将它们板剥离，剥离构件包括：剥离部件，其以与支承面平行的状态配设于面对侧面支承构件的位置，具备用于插入边界部的楔部，并具有在楔部的末端开口的气体喷出孔；气体供给构件，其向气体喷出孔供给气体；剥离部件定位构件，其使剥离部件沿与支承基座的支承面垂直的方向移动，将楔部定位于边界部；和剥离部件进退构件，其使楔部相对于边界部前进或后退。

技术领域

本发明涉及将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板的分离装置。

背景技术

在光器件制造工序中，经缓冲层在大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅等外延基板的表面层叠有由n型半导体层以及p型半导体层构成的发光层，在该发光层的、由形成为格子状的多个间隔道划分出的各区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件来构成光器件晶片，其中n型半导体层和p型半导体层是由氮化镓(GaN)或磷化镓铟(INGaP)或铝氮化镓(ALGaN)构成。并且，通过沿着间隔道分割光器件晶片来制造出一个个光器件。

并且，作为提升光器件亮度的技术，在下述专利文献1中公开了下述的称为提离的制造方法：将钼(Mo)、铜(Cu)、硅(Si)等移设基板经金锡(AuSn)等接合金属层接合在发光层，所述发光层经缓冲层层叠在构成光器件晶片的蓝宝石基板或碳化硅等外延基板的表面，并由n型半导体层和p型半导体层构成，从外延基板的背面侧照射由缓冲层吸收的波长(例如257nm)的激光光线来破坏缓冲层，将外延基板从发光层剥离，从而将发光层转移到移设基板

专利文献1：日本特开2004-72052号公报

然而，当从外延基板的背面侧将聚光点定位于缓冲层来照射激光光线时，构成缓冲层的氮化镓(GaN)或磷化镓铟(INGaP)或铝氮化镓(AlGaN)分解成Ga和气体(N₂等)，由此缓冲层被破坏，但是存在氮化镓(GaN)或磷化镓铟(INGaP)或铝氮化镓(AlGaN)分解成Ga和气体(N₂等)的区域、和不分解的区域，缓冲层的破坏产生不均，从而存在无法顺畅地进行外延基板的剥离的问题。

另外，在为了提高光器件的亮度而在外延基板的表面形成有凹凸的情况下，存在这样的问题：激光光线被凹凸的壁遮挡而抑制了缓冲层的破坏，从而很难剥离外延基板。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题是提供一种分离装置，该分离装置能够容易地将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种分离装置，该分离装置将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板，该分离装置的特征在于，所述分离装置具备：支承基座，该支承基座具备以水平状态支承复合基板的支承面；侧面支承构件，该侧面支承构件设置于该支承基座，并对载置于该支承面上的复合基板的外周侧面进行支承；以及剥离构件，该剥离构件插入构成复合基板的第1基板和第2基板的边界部，将第1基板和第2基板剥离，所述复合基板被该支承基座的该支承面和该侧面支承构件支承，该剥离构件包括：剥离部件，该剥离部件以与该支承基座的该支承面平行的状态配设于面对该侧面支承构件的位置，该剥离部件具备用于插入第1基板和第2基板的边界部的楔部，并且具有在该楔部的末端开口的气体喷出孔；气体供给构件，该气体供给构件向该剥离部件的该气体喷出孔供给气体；剥离部件定位构件，该剥离部件定位构件使该剥离部件沿着与该支承基座的该支承面垂直的方向移动，以将该楔部定位于第1基板和第2基板的边界部；以及剥离部件进退构件，该剥离部件进退构件使该剥离部件的该楔部相对于构成复合基板的第1基板和第2基板的边界部前进或后退，所述复合基板被该支承基座的该支承面和该侧面支承构件支承。