[发明专利]通过使用前馈侧馈以及测量单元再使用的改进度量

权利要求书

1.一种用于在制造半导体器件中使用的测试结构，所述测试结构包括：

衬底；

形成在所述衬底上或形成在所述衬底的表面上的材料层中的两个或更多个测试单元；其中所述两个或更多个测试单元中的每个包括多个测试图形，所述测试图形形成在所述衬底上或形成在材料层上，所述材料层形成在所述衬底上；其中所述测试单元被配置来用于与两个或更多个光刻步骤相关联的度量测量，所述光刻步骤被执行在所述衬底或形成在所述衬底上的一个或更多个材料层上；其中针对至少一个光刻步骤，所述两个或更多个测试单元中的至少两个被形成基本上相同的测试图形；其中针对至少一个其他光刻步骤，所述两个或更多个测试单元中仅有一个被形成图形，而所述两个或更多个测试单元中的另一个则未被形成图形；其中所述两个或更多个测试单元中每个中的测试图形和/或所述两个或更多个测试单元中的两个或更多个间的所述图形中的差别被配置来便利度量信息的前馈或侧馈。

2.如权利要求1所述的测试结构，其中每个单元中的所述图形和/或单元间的所述图形中的差别被配置或来减少度量测量中拟合参数的数目。

3.如权利要求1所述的测试结构，其中所述两个或更多个测试单元包括至少四个单元，其中至少两个具有基本上在第一方向上被定向的图形，而其中至少其他两个具有在基本上垂直于第一方向的第二方向上被定向的相似的图形。

4.如权利要求3所述的测试结构，其中具有基本上在第一方向上被定向的图形的所述至少两个单元中的每个靠近具有在所述第二方向上被定向的相似的图形的所述至少两个单元中的一个被放置。

5.如权利要求1所述的测试结构，其中所述两个或更多个测试单元包括至少三个单元，其中至少一个包括成像目标。

6.如权利要求5所述的测试结构，其中所述成像目标包括第一层中的第一结构以及形成在第二层中的第二结构，并且其中所述第一结构和所述第二结构是周期性的结构。

7.如权利要求1所述的测试结构，其中所述两个或更多个测试单元包括三个单元，所述三个单元包括含有栅状结构目标的第一和第二单元，以及含有薄膜厚度目标的第三单元。

8.如权利要求1所述的测试结构，其中使用所述两个或更多个测试单元获得的所述度量测量包括膜度量信息、临界尺寸信息、叠对信息、扫描仪剂量、聚焦参数和/或抗蚀剂高度。

9.一种用于在半导体器件制造期间进行度量的装置，包括；

控制器，所述控制器被配置来耦合到度量工具，所述控制器被配置来：

a)在第一测试单元上通过所述度量工具建模第一测量的度量参数，所述第一测试单元形成在衬底上或形成在所述衬底的表面上的材料层中；

b)在所述层中的第二测试单元上接收第二测量；

c)将从所述第二测量获得的信息馈送到所述第一测量的所述建模度量参数中；以及

d)在光刻图形已经在所述层上形成后，使用从所述第一测量和/或所述第二测量获得的信息在所述第一和第二测试单元中的一个上建模至少第三测量的度量参数。

10.如权利要求9所述的装置，其中d)包括分别使用从执行所述第一测量和执行所述第二测量获得的信息分别在所述第一和第二测试单元上建模第三测量的度量参数和第四测量的度量参数。

11.如权利要求9所述的装置，其中a)包括在所述第一测试单元上建模临界尺寸度量测量。

12.如权利要求9所述的装置，其中b)包括在所述第二测试单元上执行薄膜度量测量。

13.如权利要求9所述的装置，其中c)包括将来自所述第二测量的所述信息侧馈到所述第一测量的所述建模中。

14.如权利要求10所述的装置，其中d)包括建模针对叠对度量的所述第三测量。

15.如权利要求10所述的装置，其中d)包括建模针对临界尺寸度量的所述第四测量。

16.如权利要求10所述的装置，其中d)包括前馈所述第一测试单元上的所述第一测量来在所述第一测试单元上建模所述第三测量。

17.如权利要求10所述的装置，其中d)包括前馈所述第二测试单元上的所述第二测量来在所述第二测试单元上建模所述第四测量。