[发明专利]一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法

权利要求书

1.一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，其特征在于包括以下步骤：

S1：选取硅片作为基底，并对硅片进行清洗、烘干；

S2：在硅片上旋涂上光刻胶,然后将硅片和掩膜板通过铸钢架倾斜固定：

S3：对固定好的硅片先进行第一次曝光，然后将硅片在其所在平面内旋转180°，进行第二次曝光；

S4：曝光结束后，对硅片上的光刻胶进行显影，形成“X”型三维电极阵列结构；

S5：在“X”型三维电极阵列结构表面采用电化学沉积、溅射方法沉积电极活性物质功能薄膜，得到三维微电极；

所述的铸钢架包括底座（1）、圆盘（2）和圆环（3），底座（1）的顶面和底面的夹角为15°，顶面上还设有圆盘形凹槽（4），圆盘形凹槽（4）内还设有两盲孔（5），且两盲孔（5）位于圆盘形凹槽的直径上，圆盘（2）的顶面上设有放置硅片的凹槽（6），放置硅片的凹槽（6）内还设有通孔（7），且通孔（7）处向下延伸有可以插入到底座的圆盘形凹槽内任意盲孔中的固定管（8），圆盘（2）的四周边缘设有螺丝孔（9），圆环（3）上设有和圆盘上的螺丝孔对应的螺丝孔（9）。

2.根据权利要求1所述的一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，其特征在于硅片清洗时，依次在二甲苯、丙酮、酒精、硫酸、氨水和盐酸溶液中清洗。

3.根据权利要求1或2所述的一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，其特征在于旋涂光刻胶时，先将硅片加热到45℃，然后进行第一次甩胶并烘干固化，等固化后进行第二次甩胶，完成光刻胶的旋涂。

4.根据权利要求1或2所述的一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，其特征在于硅片在由铸钢架倾斜固定之前，硅片上的光刻胶先在65℃环境中前烘20min，且曝光结束后，硅片上的光刻胶在50℃环境中后烘 4小时，最后显影。

5.根据权利要求1或2所述的一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，其特征在于第一次曝光时间为70s，第二次曝光时间为70s。