[发明专利]透明导电板的激光蚀刻方法及其所制成的透明导电板有效
申请号: | 201510029485.1 | 申请日: | 2015-01-21 |
公开(公告)号: | CN105855711B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 陈耀宗;张裕洋;刘修铭;卢建荣 | 申请(专利权)人: | 位元奈米科技股份有限公司 |
主分类号: | B23K26/362 | 分类号: | B23K26/362;B23K26/402;H01B13/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 激光 蚀刻 方法 及其 制成 | ||
1.一种透明导电板的激光蚀刻方法,其特征在于,包括:
提供一透明导电板,其中该透明导电板具有一透明的绝缘基材及形成于该绝缘基材上的一透明导电层;
于该透明导电层定义出一预设蚀刻路径,其中该预设蚀刻路径包含有一预设首尾相接路径、一预设T字形路径、及一预设直角路径的至少其中之一;以及
以一激光设备持续地发出数次激光光束至该透明导电板的透明导电层,并且将投射至该透明导电层上的这些次激光光束中心点依循部分该预设蚀刻路径行进;其中,
当在实施该预设首尾相接路径的蚀刻时,将这些次激光光束中心点在该透明导电层上沿一前路径与重叠衔接于该前路径起始处的一后路径行进,以蚀刻形成一首尾相接沟槽;
当在实施该预设T字形路径的蚀刻时,将这些次激光光束中心点在该透明导电层上依序沿一横向路径与一未相交于该横向路径的纵向路径行进,以蚀刻形成一T字形沟槽;其中,该横向路径与该纵向路径的最短距离,其小于投射至该透明导电层上的激光光束直径并大于投射至该透明导电层上的激光光束半径;及
当在实施该预设直角路径的蚀刻时,将这些次激光光束中心点在该透明导电层上依序沿一第一路径、一曲线路径、及大致垂直于该第一路径的一第二路径行进,以蚀刻形成一类直角沟槽。
2.根据权利要求1所述的透明导电板的激光蚀刻方法,其中,在实施该预设蚀刻路径的蚀刻过程中,将每次激光光束投射至该透明导电层上的区域部分重叠于与其相邻的3~16次激光光束投射至该透明导电层上的区域。
3.根据权利要求1所述的透明导电板的激光蚀刻方法,其中,将该激光设备发出激光光束的脉冲延迟时间调整为1~500纳秒。
4.根据权利要求1所述的透明导电板的激光蚀刻方法,其中,当在实施该预设首尾相接路径的蚀刻时,将这些次激光光束中心点所依循行进的该后路径与该前路径的重叠长度控制在5~20微米。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的透明导电板的激光蚀刻方法,其中,在提供该透明导电板的步骤中,该透明导电层以一聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸的调制溶液涂覆于该绝缘基材而制成。
6.根据权利要求5所述的透明导电板的激光蚀刻方法,其中,在以该激光设备持续地发出这些次激光光束的步骤中,进一步限定为以该激光设备持续地发射出能量介于1~5瓦的数次红外光激光光束,并同时符合脉冲重复频率为50~500千赫兹且激光行进速率为800~4000毫米/秒。
7.根据权利要求6所述的透明导电板的激光蚀刻方法,其中,在提供该透明导电板的步骤中,该绝缘基材选用聚酸甲酯板、聚碳酸酯板、聚酰胺板、压克力板、聚对苯二甲酸乙二酯板、或玻璃基板。
8.根据权利要求6所述的透明导电板的激光蚀刻方法,其中,在提供该透明导电板的步骤中,该透明导电层添加长度小于10μm的纳米碳管或是线径小于500nm的纳米银线,并且该纳米碳管或该纳米银线的添加量相对于该透明导电层的重量百分比不大于10%。
9.根据权利要求6所述的透明导电板的激光蚀刻方法,其中,在提供该透明导电板的步骤中,选用该透明导电层厚度小于500纳米的透明导电板。
10.一种根据权利要求1所述的透明导电板的激光蚀刻方法所制成的透明导电板。
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