[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201510028826.3 | 申请日: | 2015-01-20 |
公开(公告)号: | CN104538410B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 王明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/544;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。
背景技术
DGS(Data Gate Short,栅线和数据线短接)是薄膜晶体管液晶显示器件的常见不良之一。而目前检测DGS的手段非常有限,只有在薄膜晶体管阵列基板刚做完的时候,在产线内检测DGS。当组成模组后,如果发生DGS,检测手段非常有限,甚至无法准确找到发生DGS的位置。而且在产品开发的过程中如果无法找到DGS的发生位置,就会耽误产品的开发进程。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板,用以检测DGS的发生位置。
本发明还通过一种显示装置,包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板,用以提高产品良率。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条栅线和多条数据线,还包括:
第一检测线,用于传输第一检测信号;
与所述栅线或数据线一一对应设置并电性连接的第一单向导通元件,所述第一单向导通元件的另一端与所述第一检测线电性连接;
第一报警元件,当所述第一单向导通元件与栅线一一对应设置时,所述第一报警元件与数据线一一对应设置,并电性连接,当所述第一单向导通元件与数据线一一对应设置时,所述第一报警元件与栅线一一对应设置,并电性连接,所述第一报警元件用于接收第一检测信号,并输出相应的报警信号。
如上所述的薄膜晶体管阵列基板,优选的是,所述第一单向导通元件与数据线一一对应设置;
所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
第二检测线,用于传输第二检测信号;
与栅线一一对应设置并电性连接的第二单向导通元件,所述第二单向导通元件的另一端与所述第二检测线电性连接;
与数据线一一对应设置并电性连接的第二报警元件,所述第二报警元件用于接收第二检测信号,并输出相应的报警信号。
如上所述的薄膜晶体管阵列基板,优选的是,所述第一检测线与栅线为同层结构,所述第二检测线与数据线为同层结构。
如上所述的薄膜晶体管阵列基板,优选的是,所述第一单向导通元件和第二单向导通元件为二极管。
如上所述的薄膜晶体管阵列基板,优选的是,数据线和第一检测线作为所述第一单向导通元件的两个电极;
栅线和第二检测线作为所述第二单向导通元件的两个电极。
如上所述的薄膜晶体管阵列基板,优选的是,所述第一单向导通元件和第二单向导通元件的P型半导体层为同层结构,所述第一单向导通元件和第二单向导通元件的N型半导体层为同层结构。
如上所述的薄膜晶体管阵列基板,优选的是,所述第一报警元件和第二报警元件为发光元件。
如上所述的薄膜晶体管阵列基板,优选的是,所述第一报警元件和第二报警元件为有机发光二极管。
如上所述的薄膜晶体管阵列基板,优选的是,所述第一报警元件的底电极与栅线为一体结构,所述第二报警元件的底电极与数据线为一体结构。
本发明实施例中还提供一种显示装置,包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,在阵列基板上设置有检测线,用于传输检测DGS的信号,当发生DGS时,检测信号通过单向导通元件从栅线(或数据线)输入,从数据线(或栅线)输出,并在数据线(或栅线)端设置报警元件,报警元件接收检测信号,输出相应的报警信号。其中,单向导通元件与栅线(或数据线)的位置一一对应,报警元件与数据线(或栅线)的位置一一对应,通过获取所述报警信号,即可确定发生DGS的位置。即使组装模组后,只需关闭模组,输入检测信号,就可以进行DGS检测。单向导通元件的设置,使得检测组件的设置不会影响模组的正常工作。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的俯视图一;
图2表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的俯视图二;
图3表示图2的局部示意图;
图4-图8表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510028826.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:真空断路器及真空断路器驱动装置
- 下一篇:一种保温晾干奶瓶
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的