[发明专利]硅锭以及制造硅锭的方法

权利要求书

1.一种硅锭的切克劳斯基生长的方法，所述方法包括：

使硅材料与n型掺杂剂材料的混合物在坩埚中熔化；

在提取时间段内从熔融硅中提取所述硅锭；以及

在所述提取时间段的至少一部分内将硼添加至所述熔融硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述n型掺杂剂材料的偏析系数小于硼的偏析系数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼被以恒定速率添加至所述熔融硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼被从硼掺杂的石英材料中的至少一种或者从气相的硼添加至所述熔融硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼被从碳化硼或氮化硼源材料添加至所述熔融硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼被从硼掺杂的坩埚添加至所述熔融硅。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述硼掺杂的坩埚通过将硼注入到所述坩埚中、使硼扩散到所述坩埚中以及原位掺杂中的至少一个形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述硼被以各种能量注入到所述坩埚中。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述硼被以各种剂量注入到所述坩埚中。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过被配置成设定所述坩埚中的所述硼的逆行分布的加热而将热预算施加至所述坩埚。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述坩埚的内壁处形成层。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括更改将所述硼添加至所述熔融硅的速率。

13.根据权利要求12所述的方法，其中更改将所述硼添加至所述熔融硅的速率包括更改颗粒的大小、几何形状、传递速率、硼载体气体的流量或局部压力中的至少一个。

14.根据权利要求12所述的方法，其中更改将所述硼添加至所述熔融硅的速率包括更改源材料的浸入到所述熔融硅内的深度和更改所述源材料的温度中的至少一个，其中所述源材料掺杂有所述硼。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述源材料的掺杂通过原位掺杂、经过所述源材料的表面的等离子沉积过程、经过所述源材料的所述表面的离子注入以及经过所述源材料的所述表面的扩散过程中的一个来执行。

16.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过在所述切克劳斯基生长过程期间测量所述硅锭的重量来控制将所述硼添加至所述熔融硅的速率。

17.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过在光学上测量掺杂有所述硼的石英源材料的尺寸上的改变来控制将所述硼添加至所述熔融硅的速率。

18.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过更改源材料与所述熔融硅之间的接触面积以及所述源材料的加热中的至少一个来更改将所述硼添加至所述熔融硅的速率。

19.根据权利要求1所述的方法，其中硼被以在5×10¹²cm^-3和3×10¹⁶cm^-3的范围内的掺杂浓度添加至所述硅锭。

20.根据权利要求1所述的方法，其中磷被以在8×10¹²cm^-3和5×10¹⁶cm^-3的范围内的掺杂浓度添加至所述硅锭。

21.一种n掺杂的硅锭，其沿着所述硅锭的相对端部之间的轴线包括其中供体在数量上超过硼并且所述供体的至少一个n型掺杂剂物种的偏析系数小于硼的偏析系数的局部补偿。

22.根据权利要求21所述的n掺杂的硅锭，其中沿着所述硅锭的相对端部之间的所述轴线的比电阻的分布包括最大值。

23.根据权利要求21所述的n掺杂的硅锭，进一步包括在5×10¹²cm^-3和3×10¹⁶cm^-3的范围内的硼的掺杂浓度。

24.根据权利要求21所述的n掺杂的硅锭，进一步包括在8×10¹²cm^-3和5×10¹⁶cm^-3的范围内的磷的掺杂浓度。