[发明专利]一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法

权利要求书

1.一种压阻式压力计芯片结构，包括压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线、硅应变膜、玻璃底座以及硅应变膜和玻璃底座之间的空腔，所述硅应变膜为与玻璃底座阳极键合并在非键合面上进行了减薄处理的硅片，所述空腔为位于玻璃底座内并通过玻璃底座与硅应变膜的阳极键合形成的密封空腔，所述硅应变膜的键合面上具有压敏电阻、重掺杂接触区、引线孔、金属引线和金属焊盘，所述压敏电阻密封在上述空腔内，所述金属引线和金属焊盘通过引线孔、重掺杂接触区与压敏电阻实现电信号连接。

2.如权利要求1所述的压阻式压力计芯片结构，其特征在于，所述硅应变膜的键合面上具有引线凹槽，所述金属引线和金属焊盘位于引线凹槽内，所述金属引线和金属焊盘在阳极键合完成后与玻璃底座贴合在一起。

3.如权利要求1所述的压阻式压力计芯片结构，其特征在于，所述硅应变膜的可动区域的形状由所述玻璃底座内空腔的开口图形决定。

4.一种压阻式压力计芯片结构的制备方法，其步骤包括：

1)在硅片正面制作压敏电阻以及重掺杂接触区；

2)在硅片正面制作引线孔、引线凹槽、金属引线和金属焊盘；

3)在玻璃片正面制作空腔；

4)将硅片的正面与玻璃片的正面进行对准阳极键合，形成硅玻璃键合片，所述压敏电阻密封在空腔内；

5)对硅片的非键合面进行减薄处理；

6)对硅玻璃键合片的硅面进行光刻及刻蚀，直至露出下方的金属焊盘；

7)划片，芯片制作完成。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤1)通过离子注入或者杂质扩散的方式在硅片正面制作压敏电阻以及重掺杂接触区。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，在所述引线凹槽内制作金属引线和金属焊盘。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述金属引线和金属焊盘的材料选自铝或铬-金，钛-金，铬-铂，钛-铂。

8.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤3)通过干法刻蚀或者湿法腐蚀的方式在所述玻璃片上制作空腔。

9.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤5)通过湿法腐蚀或者化学机械抛光的方式对硅片的非键合面进行减薄处理。

10.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：在完成空腔制作后，在玻璃片上的空腔区域通过玻璃打孔的方式制作贯穿玻璃片的通孔，实现用于差压压力测量的压力计芯片。