[发明专利]一种电热致动器及其形成方法有效
| 申请号： | 201510020763.7 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104538544B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 孟超;黄璞;周经纬;杜江峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/332 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电热 致动器 及其 形成 方法 | ||
1.一种电热致动器，其特征在于，所述电热致动器为一体成型的V字型结构，所述V字型结构的两端固定，所述V字型结构的内角部分与纳米线的固定端相对的活动端连接，且与所述纳米线一体成型。
2.根据权利要求1所述的电热致动器，其特征在于，所述V字型结构悬置有硅层，及设置在所述硅层上的金属层。
3.一种电热致动器的形成方法，其特征在于，包括：
在绝缘衬底上的硅SOI的预设区域上蒸镀金属层；
在所述SOI上用标准的半导体加工技术，将所述SOI的顶层硅加工成V字型结构，所述V字型结构的两端固定，所述V字型结构的内角部分与纳米线的固定端相对的活动端连接，且与所述纳米线一体成型；
将所述纳米线下面的硅刻蚀掉，使金属层悬空；
将所述V字型结构和所述纳米线下面的二氧化硅腐蚀掉，使所述V字型结构和所述纳米线构成的整体结构悬空；
向所述金属层通预设初始电流；
按照预设幅度逐渐增大所述预设初始电流；
当检测到所述纳米线的阻值达到预设阻值时，停止通电流，裂结形成。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述预设阻值为12.9kΩ。
5.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，蒸镀金属层采用电子束蒸发工艺。
6.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述标准的半导体加工技术为电子束光刻工艺。
7.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，将所述纳米线下面的硅刻蚀掉采用深硅刻蚀工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510020763.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：激光封装方法及设备
- 下一篇：一种LED灯防止汽泡的封胶方法
