[发明专利]金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针及其方法在审
申请号: | 201510020276.0 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN104535942A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 刘春敏;任星蕾;谷付星;曾和平 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根;王晶 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 衬底 支撑 光纤 灵敏 磁场 探针 及其 方法 | ||
1.一种金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针,其特征在于,包括:
1)光源(6),用于产生在探头与磁场相作用的初级光信号;
2) 光纤探针针体(1),将收到的光源发射来的光引入磁场,起传输作用;
3) 光纤探针探头(2),与针体相衔接,置于磁场内部,在与磁场发生作用的同时,输出光信号用于检测;
4)金属衬底(4),置于光纤探针探头(2)下方,与光纤探针探头(2)紧密贴合,用于将磁场作用范围以微纳级别靠近探头;
5)偏振片(3),置于光纤探针探头(2)前方,使光纤探针探头(2)输出的光信号通过偏振片后经遮蔽和透过作用,提升偏振度;
6)光强探测仪(7),置于偏振片(3)后方,用于检测通过偏振片输出的光信号大小。
2.根据权利要求1所述的金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针,其特征在于:所述光源(6)为638 nm半导体激光,光源温度为25 ℃,光强为61.5 μw。
3.根据权利要求1所述的金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针,其特征在于:所述光纤探针针体(1)由光纤熔接机焊接普通单模光纤制成。
4.根据权利要求1所述的金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针,其特征在于:所述光纤探针探头(2)由手工拉伸普通单模光纤而成,其直径在1-6μm之内,光纤头部探出衬底约10-20 μm。
5.根据权利要求1所述的金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针,其特征在于:所述金属衬底(4)由对光的损耗极小的MgF2材料制成,其表面镀厚度为100nm的金膜以及厚度为100nm的镍膜;所述金属衬底(4)置于底架(8)上,底架由一块载玻片和支撑衬底构成,载玻片表面粘上两块小玻璃片作为支撑,金属衬底(4)粘在载玻片的前端并探出一半长度。
6.根据权利要求1所述的金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针,其特征在于:所述偏振片(3)为360°偏振片。
7.一种权利要求1-6任一所述的金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针的制备方法,包括以下工序:
制备微纳光纤探针工序
第一步,光纤的熔接,用熔接机将两根光纤熔接在一起,将套好光纤热缩套管的光纤放到加热器中对其加热固定,至此完成光纤的焊接工作;
第二步,光纤探针探头(2)的拉制,采用普通单模光纤并高温手工拉伸法拉制出尖端直径在1-6 μm的光纤探头;
第三步,金属衬底(4)的制作,选择对光的损耗极小的MgF2材料,通过对其表面镀不同的金属层来调节光的偏振度,达到增强偏振的效果,制作好的衬底用底架来支撑,保证探头呈水平状态,不发生弯折,将制作好的衬底粘在载玻片的前端并探出一半长度;
第四步,光纤探针探头(2)与金属衬底(4)的组合,在显微镜的低倍镜下找到衬底的边缘处,将拉制好的微纳光纤固定在三维调节架上,通过反复调节三维调节架使光纤前端与金属衬底(4)紧密接触,光纤头部探出金属衬底(4)10-20 μm,光纤后端用胶水将其固定在两小块玻璃片上;
构建实验平台
将光纤探针针体(1)与光源(6)相连接,将载有光纤探针探头(2)的底架(8)置于搭建好的平板上,使金属衬底(4)位于磁场中心位置,并将360°偏振片(3),光强探测仪(7)依次固定在磁场发生器(5)后端使其都置于同一平面上,并使其中心位于同一直线,完成装置构建。
8.一种权利要求1-6任一所述的金属衬底支撑的微纳光纤高灵敏的磁场探针的使用方法,包括以下步骤:
步骤一:将电源控制器与高斯计经USB接口与计算机相应控制端口连接,打开电源开关,将光纤探针探头(2)放入磁场中,并设置磁场发生器(5)的磁感应强度;
步骤二:用光源(6)给光纤通光,将光纤探针体(1)固定于搭建好的平板上,并将360°偏振片(3),光强探测仪(7)固定在磁场发生器(5)后端,使其置于同一平面上,并使中心位于同一直线;
步骤三:完成装置搭建与初步测试后,校准磁感应强度为0 mT,在此条件下,将偏振片(3)旋转360°并以10°为单位记录光强值于绘制好的表格中,然后以50 mT为单位,改变磁感应强度使其依次递增至350 mT,分别依上述方法记录数据于表中。
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