[发明专利]放射线检测器

权利要求书

1.一种检测放射线的放射线检测器，包括以下结构：

转换膜，其将所入射的放射线转换为电荷；

在第一方向上长的第一条状电极，在上述转换膜的与放射线入射面相反一侧的放射线入射相反面上并排地设置有多个该第一条状电极；以及

在第二方向上长的第二条状电极，在上述转换膜的放射线入射面和放射线入射相反面中的任一方并排地设置有多个该第二条状电极，该第二方向与上述第一方向相交，

其中，上述转换膜具有：

感应半导体膜，其感应所入射的放射线并生成电荷；以及

接合用半导体膜，其形成于上述感应半导体膜的上述第一条状电极侧和上述第二条状电极侧的面的、至少上述转换膜的整个敏感区域的整面上，接合用半导体膜的电阻比上述感应半导体膜的电阻高。

2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，

上述第一条状电极和上述第二条状电极以将上述转换膜的整个敏感区域分割为矩阵状的方式被截断，

上述放射线检测器还具备入射位置确定部，该入射位置确定部基于由被截断的上述第一条状电极和上述第二条状电极读出的上述电荷，针对被分割为矩阵状的分割敏感区域的每一个分别确定放射线的入射位置。

3.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，

上述接合用半导体膜由CdS、ZnS、ZnO、ZnSe、Sb₂S₃以及它们的混晶中的任一个构成。

4.根据权利要求2所述的放射线检测器，其特征在于，

上述接合用半导体膜由CdS、ZnS、ZnO、ZnSe、Sb₂S₃以及它们的混晶中的任一个构成。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于，

上述感应半导体膜由CdTe、ZnTe以及它们的混晶中的任一个构成。

6.根据权利要求5所述的放射线检测器，其特征在于，

在上述感应半导体膜中添加了卤族元素。