[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，例如涉及一种可适用于具有焊接区域的半导体器件的制造方法及具有焊接区域的半导体器件的技术。

背景技术

具有MISFET等半导体元件及布线的半导体器件是通过在半导体衬底上层积氧化硅膜、氮化硅膜等绝缘膜、半导体膜及导电性膜而形成的。如上所述，所述半导体元件经由多层布线与焊接区域电连接。所述焊接区域经由键合线及凸块电极等与外部端子耦合。

例如，在日本特开2002－75996号公报(专利文献1)中公开了如下技术，即在对钝化膜进行蚀刻的工序之后，再用含有氟化铵的液体对布线层表面进行蚀刻，便可防止焊垫的接触不良。

另外，在日本特开1992－186838号公报(专利文献2)中，公开了如下技术，即：用三氯化硼(BCl₃)气体将铝(Al)布线表面的汚染层即Al₂O₃除去后，在布线表面上形成氮化铝(AlN)的技术。

专利文献1 日本特开2002－75996号公报

专利文献2 日本特开1992－186838号公报

发明内容

本案发明人从事具有焊接区域的半导体器件的研究开发工作，对于如何提高其特性一直锐意探讨。在进行研究的过程中，明确了具有焊接区域的半导体器件还具有进一步改善的余地。

本发明的所述内容及所述内容以外的目的和新特征将在本说明书 的描述及附图说明中写明。

下面对本发明中所公开的具有代表性实施方式中的结构概要进行简单说明。

本发明所公开的具有代表性实施方式的半导体器件制造方法包括如下工序，即：在具有铝的布线上的绝缘膜上形成使布线表面的一部分露出的开口部的工序；以及在所露出的布线的表面上形成氮化铝的工序。

本发明所公开的具有代表性实施方式中的半导体器件形成于含有铝的布线上，且具有包括具有开口部的绝缘膜、以及在开口部底面中在布线上形成的氮化铝。

根据本发明所公开的具有代表性实施方式的半导体器件的制造方法，便可制造出特性良好的半导体器件。

另外，根据本发明所公开的具有代表性实施方式的半导体器件，还可提高半导体器件的特性。

附图说明

图1所示的是第1实施方式中半导体器件结构的截面图。

图2A、图2B所示的分别是第1实施方式及比较例中半导体器件的焊接区域及半导体衬底背面的状态的模式示意截面图。

图3所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图。

图4所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图3的半导体器件制造工序的截面图。

图5所示的是第1实施方式中所使用的CVD装置的模式截面图。

图6所示的是第1实施方式中所使用的装置的模式截面图。

图7所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图4的半导体器件制造工序的截面图。

图8所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图7的半导体器件制造工序的截面图。

图9所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接 着图8的半导体器件制造工序的截面图。

图10所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图9的半导体器件制造工序的截面图。

图11所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图10的半导体器件制造工序的截面图。

图12所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图11的半导体器件制造工序的截面图。

图13所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图12的半导体器件制造工序的截面图。

图14所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图13的半导体器件制造工序的截面图。

图15所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图14的半导体器件制造工序的截面图。

图16所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图15的半导体器件制造工序的截面图。

图17所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图16的半导体器件制造工序的截面图。

图18所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图17的半导体器件制造工序的截面图。

图19所示的是第1实施方式中半导体器件制造工序的截面图，即接着图18的半导体器件制造工序的截面图。