[发明专利]柔性发光器件阵列及其制作方法有效
| 申请号: | 201510016315.X | 申请日: | 2015-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN104676320B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
| 发明(设计)人: | 郭金霞;田婷;刘志强;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;F21Y115/10 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 发光 器件 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种柔性发光器件阵列,其包括:
一位于同一衬底上的多个发光器件单元和柔性支撑衬底,其特征在于,
所述柔性支撑衬底具有中腔体体,所述腔体中填充有液体,用于散热;
在所述柔性支撑衬底的表面形成柔性导电的焊盘和互连线;
所述多个发光器件单元通过第一电极和第二电极与柔性支撑衬底上的焊盘电连接,相邻发光器件单元之间通过所述互连线串联或并联,且去除衬底。
2.如权利要求1所述的柔性发光器件阵列,所述互连线由石墨烯或纳米金属薄膜构成。
3.如权利要求1所述的柔性发光器件阵列,所述发光器件单元的尺寸小于20um,间距小于30um。
4.如权利要求1所述的柔性发光器件阵列,所述腔体中填充有机或无机溶液,用于增加对流散热。
5.如权利要求1所述的柔性发光器件阵列,所述发光器件单元包含第一半导体层,有源层和与第一半导体层导电类型相反的第二半导体层,并在与柔性支撑衬底连接的第二半导体层上形成反射欧姆接触层。
6.如权利要求1所述的柔性发光器件阵列,相邻发光器件单元之间通过设置在柔性支撑衬底上的,且与焊盘电连接的导电柱实现电互联。
7.如权利要求6所述的柔性发光器件阵列,所述发光器件单元之间的空隙采用透明的柔性绝缘层填充,所述透明的柔性绝缘层掩埋导电柱的大部分高度。
8.一种柔性发光器件阵列的制作方法,其包括如下步骤:
形成位于同一衬底上的多个发光器件单元,在所述发光器件单元的同侧形成第一电极和第二电极;
在柔性支撑衬底中形成中空腔体,所述中空腔体用于充填液体,用于散热;
在柔性支撑衬底上表面形成与第一电极和第二电极对应的柔性导电的焊盘和互连线;
所述多个发光器件单元通过第一电极和第二电极与柔性支撑衬底上的焊盘电连接,相邻发光器件单元之间通过所述互连线串联或并联,且去除衬底。
9.如权利要求8所述的柔性发光器件阵列,所述互连线由石墨烯或纳米金属薄膜构成。
10.如权利要求8所述的柔性发光器件阵列,所述发光器件单元的尺寸小于20um,间距小于30um。
11.如权利要求8所述的柔性发光器件阵列,所述腔体中填充有机或无机溶液,用于增加对流散热。
12.如权利要求8所述的柔性发光器件阵列,所述发光器件单元包含第一半导体层,有源层和与第一半导体层导电类型相反的第二半导体层,并在与柔性支撑衬底连接的第二半导体层上形成反射欧姆接触层。
13.一种柔性发光器件阵列的制作方法,其包括如下步骤:
形成位于同一衬底上的多个发光器件单元,在所述发光器件单元的一侧形成第二电极;
在柔性支撑衬底中形成中空腔体,所述中空腔体用于充填液体,用于散热;
在柔性支撑衬底上表面形成与第二电极对应的导电的焊盘;
在柔性支撑衬底上形成导电柱,所述导电柱与焊盘电连接,且其高度与发光器件单元的高度相当;
去除衬底;
在所述发光器件单元的去除衬底一侧形成第一电极,通过柔性导电的互连线将第一电极与柔性支撑衬底上的导电柱电连接,实现相邻发光器件单元之间串联或并联。
14.如权利要求13所述的柔性发光器件阵列,所述发光器件单元之间的空隙采用透明的柔性绝缘层填充,所述透明的柔性绝缘层掩埋导电柱的大部分高度。
15.如权利要求13所述的柔性发光器件阵列,所述导电柱与焊盘电连接通过柔性导电薄膜来实现。
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