[发明专利]多芯片封装结构以及电子设备

权利要求书

1.一种多芯片封装结构，包括：

第一芯片，包括接地端；和

第二芯片，包括信号传输端，所述信号传输端与所述接地端连接，所述信号传输端输出第一信号给所述接地端，所述第一信号作为所述第一芯片的地信号，其中，所述第一信号为变化的信号。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的其它电压均随所述地信号的变化而变化。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的其它电压均随所述地信号的电压的升高而升高，随所述地信号的电压的降低而降低。

4.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片进一步包括电源端，所述电源端接收第二信号，在同一时刻，所述第二信号的电压均大于所述第一信号的电压，所述第二信号与所述第一信号的电压差为所述第一芯片的工作电压。

5.根据权利要求4所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述电源端与所述第二芯片连接，所述第二芯片提供所述第二信号，所述第二信号为变化的信号。

6.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片进一步包括接地端，所述第二芯片的接地端连接一电子设备的设备地端，或者所述第二芯片的接地端与所述多芯片封装结构所在的电子设备的设备地端连接，或者所述第二芯片的接地端施加有一恒定电压。

7.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述多芯片封装结构进一步包括信号电极，所述信号电极由导电材料制成，所述信号电极至少设置在所述第一芯片周围。

8.根据权利要求7所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述信号电极加载有第三信号，所述第三信号为变化的信号。

9.根据权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第三信号与所述第一信号相同。

10.根据权利要求9所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述信号电极与所述第一芯片的接地端和第二芯片的信号传输端连接。

11.根据权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第三信号与所述第一信号同步变化，且幅度大小和变化方向相同。

12.根据权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第三信号随所述第一信号的变化而变化的信号。

13.根据权利要求12所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第三信号随所述第一信号的升高而升高、随所述第一信号的降低而降低。

14.根据权利要求11或13所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第三信号的幅度变化大小与所述第一信号的幅度变化大小对应相同。

15.根据权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述多芯片封装结构包括散热片，所述散热片由导电材料制成，所述散热片用于散热，还用于作为所述信号电极。

16.根据权利要求15所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片与所述第二芯片均设置在所述散热片上，其中，所述第一芯片与所述散热片之间设置导电层，所述第二芯片与所述散热片之间设置绝缘层。

17.根据权利要求16所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述散热片与所述第一芯片的接地端通过所述导电层连接所。

18.根据权利要求8所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述多芯片封装结构进一步包括衬底，所述第一芯片与所述第二芯片设置在所述衬底上，所述衬底上设置所述信号电极。

19.根据权利要求18所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述信号电极环绕第一芯片。

20.根据权利要求19所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述信号电极进一步环绕第二芯片。

21.根据权利要求18所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述信号电极为一整层电极，设置在第一芯片与所述衬底之间，与所述第一芯片和衬底层叠设置，沿垂直层叠方向，所述信号电极的边缘超出所述第一芯片的边缘。