[发明专利]基于直接成型介孔碳技术的微型电化学传感器及制作方法

权利要求书

1.一种基于直接成型介孔碳技术的微型电化学传感器，其特征在于，包括：器件衬底、绝缘层、对电极、参比电极、工作电极；其中，器件衬底为矩形，其正中间覆有矩形的工作电极以及从工作电极的某一边延伸出的一条电极引线；器件衬底上除了工作电极和引线之外，全部覆盖绝缘层，且绝缘层与工作电极和电极引线之间保持缝隙；在绝缘层上，以工作电极和电极引线为中心向外依次覆有一小一大的U形对电极，其中大U形对电极上覆有参比电极。

2.根据权利要求1所述传感器，其特征在于，所述对电极的材料为铂。

3.根据权利要求1所述传感器，其特征在于，所述参比电极的材料为固态银/氯化银。

4.根据权利要求1所述传感器，其特征在于，所述工作电极的材料为介孔碳。

5.一种基于直接成型介孔碳技术的微型电化学传感器的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1、在硅片上用等离子体增强化学气相沉积二氧化硅层作为绝缘层，通过光刻并利用刻蚀得到工作电极区域；

步骤2、通过光刻得到对电极以及参比电极衬底区域的图形，蒸发掉一定厚度的铂，再剥离光刻胶；

步骤3、在工作电极区域的硅衬底模板上旋涂光刻胶与纳米氧化硅的混合物，光刻图形化得到工作电极区域，经过高温碳化后，用氢氟酸去除模板材料二氧化硅，得到工作电极介孔碳；

步骤4、在参比电极基底铂上涂覆银/氯化银浆，得到固态银/氯化银参比电极。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述步骤1中二氧化硅层的沉积厚度为500nm。

7.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述步骤2中蒸发掉的铂的厚度为80nm。

8.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述步骤3中光刻胶采用SU-8光刻胶。

9.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述步骤3中高温碳化温度为900℃。