[发明专利]一种锑化铟晶片化学抛光方法有效
| 申请号： | 201510014588.0 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN104576354B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 赵超;程鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 田卫平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锑化铟 晶片 化学抛光 方法 | ||
1.一种锑化铟晶片化学抛光方法，其特征在于，机械化学抛光完成后，将粘结有锑化铟晶片的抛光盘倒置于盛有0.005％～10％的溴甲醇化学抛光液的抛光槽内，使得所述锑化铟晶片的表面朝向所述抛光槽的底部并且所述锑化铟晶片浸没于所述溴甲醇化学抛光液中，以进行化学抛光，所述化学抛光的时间为10s～200s；
所述方法，还包括：抛光盘倒置于抛光槽内之前和化学抛光时，在所述锑化铟晶片的下方搅拌所述溴甲醇化学抛光液；搅拌速度设定为50rpm/s～100rpm/s，并且在所述抛光盘倒置于抛光槽内之前搅拌10～40min；所述抛光盘倒置于所述抛光槽内之前和所述化学抛光时，控制所述溴甲醇化学抛光液的温度为0℃～30℃。
2.根据权利要求1所述的化学抛光方法，其特征在于，化学抛光完成后，执行冲洗步骤1：采用温度为0℃～30℃的COMS级甲醇溶液作为第一冲洗液冲洗锑化铟晶片。
3.根据权利要求2所述的化学抛光方法，其特征在于，冲洗步骤1完成后执行冲洗步骤2：使用0℃～30℃的去离子水作为第二冲洗液冲洗所述锑化铟晶片5min～20min。
4.根据权利要求3所述的化学抛光方法，其特征在于，冲洗步骤2完成后，采用氮气吹干锑化铟晶片。
5.根据权利要求3或4所述的化学抛光方法，其特征在于，所述抛光槽流体连通有储液箱，所述第一冲洗液和所述第二冲洗液分别存储于所述储液箱内，化学抛光完成后，将所述溴甲醇化学抛光液从所述锑化铟晶片的下方排出，并且将所述第一冲洗液从所述抛光盘的上方导入所述抛光槽内，其中所述溴甲醇化学抛光液的流量小于所述第一冲洗液的流量；冲洗步骤1完成后，将所述第一冲洗液从所述锑化铟晶片的下方排出，并且将所述第二冲洗液从所述抛光盘的上方导入所述抛光槽内，其中所述第一冲洗液的流量小于所述第二冲洗液的流量。
6.根据权利要求1所述的化学抛光方法，其特征在于，所述抛光槽的内侧壁的上部设置有向内延伸的凸台以支撑所述抛光盘。
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