[发明专利]弹性波元件和使用它的电子设备有效
申请号: | 201510012562.2 | 申请日: | 2010-04-19 |
公开(公告)号: | CN104734662B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 关俊一;上口洋辉;中西秀和;中村弘幸 | 申请(专利权)人: | 天工滤波方案日本有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/145 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 元件 使用 电子设备 | ||
本申请是申请日为2010年4月19日、题为“弹性波元件和使用它的电子设备”的发明专利申请No.201080016666.6的分案申请。
技术领域
本发明涉及弹性波元件和使用它的电子设备。
背景技术
图10是在专利文献1中记载的现有的弹性波元件1的剖面示意图。弹性波元件1,例如是CDMA标准规格的Band1用的天线共享器,具有:接收滤波器,其使得2110MHz~2170MHz的接收用频带的信号通过;和发送滤波器,其使得比接收频带低的1920MHz~1980MHz的发送频带的信号通过。
弹性波元件1,例如具有:由铌酸锂系或钽酸锂系的压电材料构成的压电体2;在压电体2上作为接收滤波器的谐振器的电极而设置的叉指式换能器(IDT)电极3;和在压电体2上作为发送滤波器的谐振器的电极而设置的IDT电极4。传播到接收滤波器的IDT电极3的弹性波的波长λ501比通过发送滤波器的IDT电极4传播的波长λ502短。
通过将IDT电极4的膜厚T502设定得比IDT电极3的膜厚T501厚,从而将用弹性波的波长λ501除接收滤波器中的IDT电极3的膜厚T501而标准化得到的标准化膜厚N501、与用弹性波的波长λ502除发送滤波器中的IDT电极4的膜厚T502而标准化得到的标准化膜厚N502设为相同程度。根据这个结构,能够提高弹性波元件1的电设备耦合系数。
弹性波元件1具有:以在压电体2上覆盖IDT电极3、4的方式而设置的例如由二氧化硅(SiO2)构成的电介质层5。电介质层5具有与压电体2相反的温度特性,且使弹性波元件1的温度特性提高。从电介质层5的上表面,从IDT电极3的上方到IDT电极4的上方是平坦的。在弹性波元件1中,具有IDT电极4的发送滤波器的温度特性变差,具有IDT电极3的接收滤波器的电设备耦合系数变差。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1:JP特表2008-508821号公报
发明内容
(发明的概要)
弹性波元件具有:压电体;设置在压电体的上表面上的第一和第二叉指式换能器(IDT)电极;和设置在压电体的上表面上并且覆盖第一IDT电极和第二IDT电极的第一电介质层。第二IDT电极具有比第一IDT电极的膜厚厚的膜厚。第二IDT电极的正上方的第一电介质层的第二部分的上表面距离压电体的上表面的高度,高于第一IDT电极的正上方的第一电介质层的第一部分的上表面距离压电体的上表面的高度。
该弹性波元件具有良好的温度特性和电设备耦合系数。
附图说明
图1是本发明的实施方式1中的弹性波元件的俯视图。
图2是实施方式1中的特性波元件的剖视示意图。
图3是实施方式1中的其它弹性波元件的剖视示意图。
图4是图3所示弹性波元件的放大剖视图。
图5A是表示图3所示的弹性波元件的制造工序的剖视图。
图5B是表示图3所示的弹性波元件的制造工序的剖视图。
图5C是表示图3所示的弹性波元件的制造工序的剖视图。
图5D是表示图3所示的弹性波元件的制造工序的剖视图。
图5E是表示图3所示的弹性波元件的制造工序的剖视图。
图5F是表示图3所示的弹性波元件的制造工序的剖视图。
图5G是表示图3所示的弹性波元件的制造工序的剖视图。
图5H是表示图3所示的弹性波元件的制造工序的剖视图。
图6是实施方式1中的另一其它弹性波元件的剖视示意图。
图7A是实施方式1中的另一其它弹性波元件的剖视示意图。
图7B是实施方式1中的电子设备的方框图。
图8是本发明的实施方式2中的弹性波元件的俯视图。
图9是实施方式2中的弹性波元件的剖视图。
图10是现有的弹性波元件的剖视示意图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1和图2分别是本发明的实施方式1中的弹性波元件6的俯视图和剖视示意图。弹性波元件6,例如具有CDMA标准规格的Band1用的天线共享器即滤波器7、8。滤波器7是使2110MHz~2170MHz的接收频带的信号通过的接收滤波器。滤波器8是使比接收频带低的1920MHz~1980MHz的发送频带的信号通过的发送滤波器。
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