[发明专利]变压器装置在审
申请号: | 201510010558.2 | 申请日: | 2015-01-09 |
公开(公告)号: | CN104779040A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 梅谷和弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/24;H01F27/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邵伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变压器 装置 | ||
1.一种变压器装置(10,50,60,90,120,140,160),包括:
由单个部分构造或由多个部分一体地构造的磁芯(11,51,61,91,121,141,161);
具有绕着所述磁芯缠绕的导线的常规线圈(12,52,62,95,125,144,162);
与所述常规线圈互联的主磁路(15,55,65,97,127a,146,164);以及
特定线圈(13,53,63,96,126,145,163),所述特定线圈包括通过朝预定方向绕着所述磁芯缠绕导线形成于所述主磁路上的一个或多个A部段(13a,53a,63a,63c,63d,63f,96a,96c,126a,145b,145,163a),以及通过朝与所述A部段中所述方向相反的方向绕着所述磁芯缠绕导线形成于所述主磁路上的一个或多个B部段(13b,53b,63b,63e,96b,126b,145a,145c,163b),
其中,在所有所述A部段中所述导线的总匝数不同于在所有所述B部段中导线的总匝数,并且
其中,所述特定线圈中的至少一个部段被设置为形成不与所述常规线圈互联的磁路的副磁路(16,17,56,57,66-68,98a-98c,127b,127c,147a-147d,165a,165b)。
2.根据权利要求1所述的变压器装置(10,60,90,120,140),
其中,所述磁芯(11,61,91,121,141)包括具有围绕内部空间的形状的主闭合磁路部,以及具有所述形状或包括间隙的所述形状的副闭合磁路部,
其中,所述常规线圈(12,62,95,125,144)和所述特定线圈的相应部段(12a,13b,63a-63f,96a-96c,126a,126b,145a-145d)被设置成使得沿着所述主闭合磁路部形成所述主磁路,并且
其中,所述特定线圈的所述相应部段被设置成使得沿着所述副闭合磁路部形成所述副磁路。
3.根据权利要求2所述的变压器装置,
其中,所述主闭合磁路部被设置为围绕所述副闭合磁路部的组件的外缘。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的变压器装置(10,50,60,90,120,140,160),
其中,所述特定线圈的所有所述部段被设置成使得所述副磁路由所述部段形成。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的变压器装置(10,50,60,90,120,140),
其中,所述磁芯(11,51,61,91,121,141)被构造为使得所述主磁路的磁阻低于所述副磁路的磁阻。
6.根据权利要求1-3任意一项所述的变压器装置(10,60,90,120,140),
其中,所述磁芯(11,61,91,121,141)被构造为使得所述磁芯的其中形成有一个或多个副磁路的部分的截面区域的尺寸对应于形成于所述部分中的所述副磁路中的磁通量的强度的总和。
7.根据权利要求1-3任意一项所述的变压器装置(10,50,60,90,120,140,160),
其中,所述特定线圈的其中产生更接近所述常规线圈电势的电势的其中一个末端被设定为第一电势侧,并且所述特定线圈的另一末端被设定为第二电势侧,并且
其中,所述常规线圈和所述特定线圈被设置为使得所述特定线圈的所述第一电势侧比所述第二电势侧更接近所述常规线圈。
8.根据权利要求1-3任意一项所述的变压器装置(120,140),
其中,所述磁芯(121,141)包括筒形外周部,以及与所述外周部一体地构造并且设置在所述外周部内的杆状轴部,并且
其中,所述常规线圈和所述特定线圈配置在所述轴部上。
9.根据权利要求8所述的变压器装置(120),
其中,所述特定线圈的其中产生更接近所述常规线圈电势的电势的其中一个末端被设定为第一电势侧,并且所述特定线圈的另一末端被设定为第二电势侧,
其中,所述常规线圈(125)被设置为邻近于所述轴部的一个末端,并且
其中,所述特定线圈(126)被设置为使得所述第一电势侧比所述第二电势侧更接近所述常规线圈。
10.根据权利要求1-3任意一项所述的变压器装置(10,60,90,120,140),
其中,所述特定线圈中至少两个所述部段被设置为形成所述副磁路,并且
其中,所述磁芯的其中形成所述副磁路的相应部段的磁阻被调节以使得在相应的副磁路中产生的所述磁通量的强度彼此相似。
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