[发明专利]原位刻蚀方法

权利要求书

1.一种原位刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1，将利用正轴4H或6H的原始碳化硅SiC衬底加工成的加工SiC衬底利用超声进行清洗；

步骤2，利用碱性混合剂将所述加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟，然后用去离子水冲洗；

步骤3，利用浓硫酸混合液将所述加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟，然后用去离子水冲洗；

步骤4，利用外延炉对零偏角的所述加工SiC衬底进行原位刻蚀，刻蚀温度为1400-1600℃；压强为50-200mbar；氢气流量为60-200L/min；刻蚀时间为5-30min；

步骤5，在1400℃下通入丙烷保护气体与纯氢气刻蚀条件相比较，在1500℃下通入硅烷保护气体与纯氢气刻蚀条件相比较；

步骤6，当所述外延炉温度降低到700℃以后，停止通入氢气，并抽取真空到低于1×10^-7mbar；向所述外延炉通入流量为12-20L/min的氩气，使长有碳化硅外延层的所述加工SiC衬底在氩气环境下继续冷却；

步骤7，缓慢提高所述外延炉气压到常压，使所述加工SiC衬底自然冷却至室温，取出SiC外延片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3之后还包括：

利用酸性混合液将所述加工SiC衬底在85度温度下浸泡20分钟，然后用去离子水冲洗；

利用5％的氢氟酸溶液将所述加工SiC衬底浸浴10分钟，然后用热去离子水和冷去离子水冲洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4具体为：利用外延炉对零偏角的所述加工SiC衬底进行原位刻蚀，刻蚀温度为1400℃、1500℃或1600℃；压强为50-200mbar；氢气流量为60-200L/min；刻蚀时间为5-30min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4具体为：利用外延炉对零偏角的所述加工SiC衬底进行原位刻蚀，刻蚀温度为1400-1600℃；压强为50-200mbar；氢气流量为60-200L/min；刻蚀时间为5min、10min或15min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4具体为：利用外延炉对零偏角的所述加工SiC衬底进行原位刻蚀，刻蚀温度为1500℃；压强为100mbar；氢气流量为82L/min；刻蚀时间为15min。