[发明专利]塑封器件的开封方法有效
申请号: | 201510007245.1 | 申请日: | 2015-01-07 |
公开(公告)号: | CN104599981B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 王坦;刘晓昱;贺峤 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人: | 王安娜,李翔 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑封 器件 开封 方法 | ||
1.一种塑封器件的开封方法,其特征在于,包括以下步骤:
先对塑封器件内部各个元件和芯片的位置和深度进行定位,得到器件内部各个元件和芯片的大小、位置以及深度信息;
根据所述信息,采用激光烧蚀的方法对所述塑封器件进行开封,以去除塑封器件表面的包封材料,使芯片区域刚刚暴露出内引线键合丝,阻容附近刚刚暴露出锡铅焊点,电感附近刚刚暴露出电感;
采用铝箔对烧蚀后的塑封器件进行掩膜处理,使不需要腐蚀的区域被铝箔掩膜,再采用腐蚀剂对掩膜后的塑封器件进行局部腐蚀。
2.根据权利要求1所述的塑封器件的开封方法,其特征在于,采用激光烧蚀的方法对所述塑封器件进行开封后,使各个元件和芯片表面仅残留一层厚度为0.4~0.6mm的包封材料。
3.根据权利要求1所述的塑封器件的开封方法,其特征在于,所述腐蚀剂选自发烟硝酸或者由发烟硝酸与浓硫酸组成的混合酸,腐蚀温度为60~95℃,腐蚀时间为30~100秒。
4.根据权利要求1所述的塑封器件的开封方法,其特征在于,所述局部腐蚀步骤包括:
对于芯片区域的腐蚀,采用温度为80~90℃、质量浓度为88~95%的发烟硝酸进行腐蚀,腐蚀时间为40~60秒,使芯片表面的铝层钝化;
对于电感区域的腐蚀,采用温度为60~80℃的混合酸进行腐蚀,腐蚀时间为70~90秒,所述混合酸由质量浓度为88~95%的发烟硝酸与质量浓度为80~98%的浓硫酸按照体积比1:0.5~1.5组成;
对于阻容区域的腐蚀,采用温度为80~90℃的混合酸进行腐蚀,腐蚀时间为50~70秒,所述混合酸由质量浓度为88~95%的发烟硝酸与质量浓度为80~98%的浓硫酸按照体积比1~3:1组成。
5.根据权利要求1所述的塑封器件的开封方法,其特征在于,采用X射线检查或超声扫描检查的方法对所述塑封器件内部的各个元件和芯片的位置和深度进行定位。
6.根据权利要求1所述的塑封器件的开封方法,其特征在于,采用波长为630~670nm的红激光调整为能量为30%、Q值为40、频率为60MHz,扫描3~5次,并在扫描过程中采用视频摄像头装置实时监视烧蚀情况。
7.根据权利要求1所述的塑封器件的开封方法,其特征在于,所述方法还包括:采用腐蚀剂腐蚀结束后,去除用于掩膜塑封器件的所述铝箔。
8.根据权利要求7所述的塑封器件的开封方法,其特征在于,所述方法还包括:去除所述铝箔后,采用丙酮清洗所述塑封器件1~2次,每次清洗时间为0.5~2分钟;再继续用异丙醇清洗所述塑封器件1~2次,每次清洗时间为1~3分钟;而后用水清洗所述塑封器件1~2次,每次清洗时间为15~50秒;最后采用洁净空气或氮气风干所述塑封器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造