[发明专利]一种像素电路及其驱动方法和显示装置有效
申请号: | 201510004106.3 | 申请日: | 2015-01-04 |
公开(公告)号: | CN104537997B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 王延峰;商广良;徐晓玲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 赵丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 电路 及其 驱动 方法 显示装置 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括选择电路、充放电电路和预充电电路;其中,
所述选择电路,其输入端连接选择信号端、高电平信号端和低电平信号端,其输出端连接所述充放电电路,所述选择电路用于根据所述选择信号端输入的数字信号控制所述充放电电路为像素电容进行充电或放电;
所述充放电电路,其输入端连接与所述像素电容对应的同一行栅线信号端,其输出端连接所述像素电容,所述充放电电路用于在所述选择电路的控制下为所述像素电容进行充电或放电,所述充放电电路包括晶体管;
所述预充电电路,其输入端连接与所述像素电容对应的上一行栅线信号端,其输出端连接所述像素电容,所述预充电电路用于为所述像素电容提供基准电压。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述选择电路包括:
第一晶体管T1,其栅极连接所述选择信号端、源极连接所述高电平信号端、漏极连接所述充放电电路;
第二晶体管T2,其栅极连接所述选择信号端、漏极连接所述低电平信号端、源极连接所述充放电电路。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述选择信号端包括第一数据线和第二数据线,所述第一数据线与所述第二数据线上的数字信号的电平极性相反,所述第一晶体管T1的栅极连接所述第一数据线,所述第二晶体管T2的栅极连接所述第二数据线。
4.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述充放电电路包括:
第三晶体管T3,其栅极连接与所述像素电容对应的同一行栅线信号端、源极连接所述第一晶体管T1的漏极和所述第二晶体管T2的源极;第三晶体管T3的漏极连接所述像素电容;所述预充电电路包括晶体管。
5.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述预充电电路包括:
第四晶体管T4,其栅极连接与所述像素电容对应的上一行栅线信号端、源极和漏极均连接所述像素电容。
6.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述第一数据线上的数字信号与所述第二数据线上的数字信号均为占空比可调的脉冲数字信号。
7.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述选择电路包括:
第一晶体管M1,其栅极连接所述选择信号端、源极连接所述像素电容、漏极连接所述充放电电路;
第二晶体管M2,其栅极连接所述选择信号端、漏极连接所述低电平信号端、源极与所述预充电电路相连;
第五晶体管M5,其栅极连接所述选择信号端、源极连接所述高电平信号端、漏极与所述预充电电路相连。
8.根据权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述选择信号端包括数据线和选择信号线,所述数据线连接所述第一晶体管M1的栅极,所述选择信号线连接所述第二晶体管M2的栅极和所述第五晶体管M5的栅极,所述第二晶体管M2和所述第五晶体管M5中的一个为N型晶体管、另一个为P型晶体管。
9.根据权利要求8所述的像素电路,其特征在于,所述充放电电路包括:
第三晶体管M3,其栅极连接与所述像素电容对应的同一行栅线信号端、源极连接所述第一晶体管M1的漏极、第三晶体管M3的漏极连接所述像素电容;所述预充电电路包括晶体管。
10.根据权利要求7或8所述的像素电路,其特征在于,所述预充电电路包括:
第四晶体管M4,其栅极连接与所述像素电容对应的上一行栅线信号端、源极连接所述像素电容、漏极连接所述第二晶体管M2的源极和所述第五晶体管M5的漏极。
11.根据权利要求8所述的像素电路,其特征在于,所述数据线上的数字信号为占空比可调的脉冲数字信号。
12.一种像素电路的驱动方法,其特征在于,包括:
预充电电路接收与像素电容对应的上一行栅线信号端上的输入信号,并根据所述上一行栅线信号端上的输入信号,为所述像素电容提供基准电压;
选择电路接收选择信号端上的数字信号,并根据所述选择信号端上的数字信号,确定充放电电路充电或放电;
充放电电路接收与所述像素电容对应的同一行栅线信号端上的输入信号,并根据所述同一行栅线信号端上的输入信号,为所述像素电容进行充电或放电。
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