[发明专利]一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构

权利要求书

1.一种In_xAl_1-xN/AlN 复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构包括：

一衬底；

一成核层，该成核层制作在衬底上，该成核层的厚度为0.01-0.60μm；

一高阻层，该高阻层制作在成核层上面；

一高迁移率层，该高迁移率层制作在高阻层上面；

一In_xAl_1-xN/AlN复合势垒层，该复合势垒层制作在高迁移率层上面；

一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在In_xAl_1-xN/AlN复合势垒层上面，厚度为1-5nm。

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述In_xAl_1-xN/AlN复合势垒层的材料为AlN垒层和In_xAl_1-xN阱层交替生长，其中0.13<x<0.23，单层氮化铝厚度为0.5-5 nm，单层铟铝氮厚度为2-14.5 nm，复合势垒层总厚度为5-30 nm，复合势垒层周期数为2-10。

3.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述高迁移率层的材料为氮化镓，厚度为0.005-0.5μm。

4.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述高阻层的材料为Al_yGa_1-yN，其中0≤y<0.10，厚度为0.2-2.5μm。

5.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或氮化铝。