[发明专利]用于DI/DT电流感测的方法及装置

权利要求书

1.一种集成电路封装，包括：

电源电路，包括形成电源电路的主电流回路的一部分的多个晶体管，该多个晶体管设置在该集成电路封装的一个或多个层中；和

导电回路，与该多个晶体管电解耦，该导电回路与该多个晶体管间隔开且与该主电流回路的至少一部分足够紧密接近，使得该导电回路可操作用于产生与响应于该主电流回路中的电流变化而产生的电磁场成比例的电压。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中该导电回路在该集成电路封装内设置在与该集成电路封装的与该多个晶体管不同的层中。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中该导电回路附连至该集成电路封装的外表面。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装，进一步包括耦合至该导电回路的一个末端的第一外部端子和耦合至该导电回路的另一末端的第二外部端子，第一和第二外部端子在该集成电路封装的外表面处提供该导电回路的连接点。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中该电源电路包括第一MOSFET和第二MOSFET，该导电回路位于该第一MOSFET的至少一部分和该第二MOSFET的至少一部分之上，且绝缘体层插入在该导电回路与第一和第二MOSFET之间。

6.根据权利要求5所述的集成电路封装，其中该第一MOSFET是电源转换器电路的高侧MOSFET而该第二MOSFET是该电源转换器电路的低侧MOSFET。

7.一种制造集成电路封装的方法，包括：

设置电源电路，该电源电路包括在该集成电路封装的一个或多个层中形成该电源电路的主电流回路的一部分的多个晶体管；和

设置导电回路，该导电回路与该多个晶体管电解耦且与该多个晶体管间隔开，该导电回路设置成足够紧密接近该主电流回路的至少一部分使得该导电回路可操作用于产生与响应于该主电流回路中的电流变化而产生的电磁场成比例的电压。

8.根据权利要求7所述的方法，包括将第一外部端子耦合至该导电回路的一个末端并将第二外部端子耦合至该导电回路的另一末端，使得第一和第二外部端子在该集成电路封装的外表面处提供导电回路的连接点。

9.根据权利要求7所述的方法，包括：

在该电源电路的第一和第二MOSFET之上设置该导电回路；并且

在该导电回路与第一和第二MOSFET之间设置绝缘体层。

10.根据权利要求9所述的方法，包括将该导电回路定位在该第一MOSFET的至少一部分和该第二MOSFET的至少一部分之上。