[发明专利]一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管制备方法，包括，以下几个步骤：

1)对4H-SiC半绝缘衬底(1)进行清洗，以去除表面污物；

2)在4H-SiC半绝缘衬底(1)上外延生长0.5μm厚的SiC层，同时经乙硼烷B₂H₆原位掺杂，形成浓度为1.4×10¹⁵cm^-3的P型缓冲层(2)；

3)在P型缓冲层(2)上外延生长0.25μm厚的SiC层，同时经N₂原位掺杂，形成浓度为3×10¹⁷cm^-3的N型沟道层(3)；

4)在N型沟道层(3)上外延生长0.2μm厚的SiC层，同时经N₂原位掺杂，形成浓度为1.0×10²⁰cm^-3的N⁺型帽层；

5)在N⁺型帽层上依次进行光刻和隔离注入，形成隔离区和有源区；

6)对有源区依次进行源漏光刻、磁控溅射、金属剥离和高温合金，形成0.5μm长的源电极(6)和漏电极(7)；

7)对源电极(6)和漏电极(7)之间的N⁺型帽层进行光刻、刻蚀，形成刻蚀深度和长度分别为0.25μm和2.2μm的凹沟道；

8)对P型缓冲层(2)进行一次光刻和离子注入，形成具有厚度为0.25μm，以源极帽层(4)和漏极帽层(5)里侧为起点、长度分别为0.85μm和0.8μm的凹槽(9)的双凹陷缓冲层；

9)在沟道上方且靠近源极帽层一侧的凹沟道进行光刻、磁控溅射和金属剥离，形成0.7μm长的栅电极(10)；

10)对所形成的4H-SiC金属半导体场效应晶体管表面进行钝化、反刻，形成电极压焊点，完成器件的制作。