[发明专利]一种NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管在审
| 申请号： | 201510001134.X | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN104485364A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李彤 | 申请（专利权）人： | 天津职业技术师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/267;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nio ag zno 异质 pn 二极管 | ||
1.一种NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由p型NiO:Ag薄膜和n型ZnO薄膜而得到的异质pn结。
2.权利要求1所述NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Ag薄膜和ZnO薄膜形成异质pn结。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：本发明采用NiO:AgO陶瓷靶，磁控溅射工艺制备NiO:Ag薄膜，在此采用氧分压O2/(O2+Ar）=0％-100％。
4.溅射前的腔体本底真空度优于3x10-4Pa，溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率为100-200W。
5.镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600oC。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：本发明采用ZnO陶瓷靶，磁控溅射工艺制备ZnO薄膜，在此采用氧分压O2/(O2+Ar）=0％-100％。
7.溅射前的腔体本底真空度优于3x10-4Pa，溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率为50-150W。
8.镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600oC。
9.权利要求1或2或3或6所述NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：采用溅射法或热蒸发法在pn结上制作电极；其中，NiO:Ag和ZnO表面沉积银，镍，铝或金电极。
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