[其他]用于涂布基板的设备

说明书

根据实施方式，提供用于涂布基板的设备。设备包括真空工艺腔室。真空工艺腔室包括气体入口组件和溅射组件。气体入口组件包括连接至一个或多个工艺气体源的至少一个连接器。溅射组件包括溅射源。溅射组件在真空工艺腔室中是可移动的。设备进一步包括控制器。控制器被配置为根据真空工艺腔室的溅射源的当前位置，控制以下至少一个：通过气体入口组件导入真空工艺腔室的工艺气体流量、通过气体入口组件导入真空工艺腔室的工艺气体成分和通过气体入口组件导入真空工艺腔室的工艺气体分布。控制器可另外或替代地被配置为控制抽出真空工艺腔室的气流。

技术领域

本公开涉及一种用于在真空工艺腔室中涂布基板的设备，并且特别涉及一种用于在基板上形成至少一层溅射材料层的设备。具体来说，此设备包括溅射组件，溅射组件具有用于涂布基板的至少一个溅射源。更具体来说，本公开的至少一些方面涉及磁控溅射，特别是反应溅射或惰性溅射。至少一个溅射源的靶材可例如为可旋转圆筒状靶材。

背景技术

在许多技术领域中，在基板上形成具有高均匀性的层(即在延伸的表面上覆盖有均匀厚度)是一项重要的课题。例如，在薄膜晶体管(TFT)的领域中，厚度均匀性是可靠制造显示器金属接线的关键所在。此外，均匀的层通常有利于制造的再现性。

一种在基板上形成层的方法为溅射，溅射在不同的制造领域中已成为一种有价值的方法，例如在TFT的制造中。在溅射期间，原子通过带有能量的粒子(例如惰性或反应气体的能量化离子)轰击从靶材材料击出。因此，击出的原子可沉积在基板上，从而可形成溅射材料层。

然而，通过溅射形成层可能由于例如靶材和/或基板的几何形状而破坏高均匀性需求。特别是，由于溅射材料不规则的空间分布，可能难以实现大范围基板上溅射材料的均匀层。基板上的多种靶材的供应可改善层的均匀性。另一种选择是，在某些外部位置和零位位置(zero-position)之间，以规律的角速度旋转磁控溅射阴极的磁体。然而，特别是对于一些对均匀性要求较高的应用而言，依此实现的层均匀性可能并不足够。

因此，需要进一步的系统，以促进高度均匀的溅射材料层。

实用新型内容

根据一个实施方式，提供一种用于涂布基板的设备。设备包括真空工艺腔室。真空工艺腔室包括气体入口组件和溅射组件。气体入口组件包括用于连接至一个或多个工艺气体源的至少一个连接器。溅射组件包括溅射源。溅射组件在真空工艺腔室中是可移动的。设备进一步包括控制器。控制器被配置为根据真空工艺腔室中的溅射源的当前位置，控制以下至少一个：通过气体入口组件导入真空工艺腔室的工艺气体的流量、通过气体入口组件导入真空工艺腔室的工艺气体的成分、以及通过气体入口组件导入真空工艺腔室内的工艺气体的分布。控制器可另外或替代地经构造用于控制抽出真空工艺腔室的气流。

在设备中，所述溅射源包括可旋转靶材。

设备包括布置于所述真空工艺腔室中的基板引导系统，所述基板引导系统被布置为用于在涂布期间支撑所述基板，并且用于将所述基板移入所述真空工艺腔室和移出所述真空工艺腔室，其中所述溅射组件沿着所述基板引导系统是可移动的。

设备包括耦接至所述溅射组件的驱动系统，其中所述驱动系统被配置为实现所述溅射组件的平移运动，并且具体来说，其中所述控制器耦接至所述驱动系统，用于控制所述溅射组件的所述平移运动。

在设备中，所述气体入口组件与所述溅射组件是可一起移动的。

在设备中，所述气体入口组件和所述溅射组件安装在支架上。

在设备中，所述控制器经构造以持续调整至少一个处理气体参数。

在设备中，所述气体入口组件包括M个气体入口，用于将所述工艺气体导入所述真空工艺腔室，其中M在从1至15的范围内，并且其中所述控制器被配置为用于依据所述M个气体入口的位置，控制以下至少一个：流经所述 M个气体入口的所述工艺气体的所述流量、所述工艺气体的所述成分、以及所述工艺气体的所述分布。