[发明专利]将推挽放大器校准到低二阶失真

权利要求书

1.一种电子集成电路(55)，包括第一放大器电路，所述第一放大器电路具有至少一个推挽放大器(11)，所述至少一个推挽放大器(11)具有在两个供电电压之间串联布置的一对互补的晶体管器件(12，13)，其中，所述第一放大器电路被配置为被校准以实现低二阶失真，

其特征在于，所述集成电路还包括具有至少一个推挽放大器(20，21)的第二放大器电路(15；31；32)，所述第二放大器电路的至少一个推挽放大器(20，21)具有在所述供电电压之间串联布置的一对互补的晶体管器件(22，23，24，25)，

·其中，所述第二放大器电路的至少一个推挽放大器(20，21)的所述一对互补的晶体管器件(22，23，24，25)的有效尺寸之间的尺寸比能够通过调节其晶体管器件中的至少一个晶体管器件的有效尺寸来调节；以及

·测试信号(LO_in)能够被施加在所述第二放大器电路的输入端；

以及所述电子集成电路被配置为：

·将所述第二放大器电路的所述至少一个推挽放大器(20，21)的尺寸比连续调节为多个值，

·针对每个尺寸比，确定所述第二放大器电路的两个推挽放大器输出信号，所述两个推挽放大器输出信号中的第一推挽放大器输出信号(V₁)是在施加了测试信号的情况下推挽放大器的低通滤波输出信号，以及第二推挽放大器输出信号(V₂)是在没有施加测试信号的情况下推挽放大器的输出信号；

·确定两个相邻尺寸比，针对所述两个相邻尺寸比，所述第一推挽放大器输出信号(V₁)和所述第二推挽放大器输出信号(V₂)之差具有相反符号；

·选择所述两个相邻尺寸比之一；以及

·根据所选尺寸比，对所述第一放大器电路的至少一个推挽放大器(11)进行校准，

其中，将每个具有能够调节的有效尺寸的晶体管器件(35)实现为晶体管组(41，42，43)，能够通过可控开关(44，45，46，47，48，49)将可选数量的个体晶体管并联耦合。

2.根据权利要求1所述的电子集成电路，其中

·所述集成电路还包括比较器(29)，其被配置为将所述第一推挽放大器输出信号(V₁)和所述第二推挽放大器输出信号(V₂)进行比较，并提供指示所述第一推挽放大器输出信号(V₁)和所述第二推挽放大器输出信号(V₂)之差的符号的比较器输出信号；以及

·所述集成电路还被配置为：通过确定所述比较器输出信号的改变来确定使所述第一推挽放大器输出信号(V₁)和所述第二推挽放大器输出信号(V₂)之差具有相反符号的所述两个相邻尺寸比。

3.根据权利要求1或2所述的电子集成电路，其中

·所述第二放大器电路包括两个推挽放大器，其中第一推挽放大器(20)具有与所述第二放大器电路的能够在其上施加测试信号(LO_in)的输入端连接的输入，以及第二推挽放大器(21)具有与所述第一推挽放大器(20)的输出连接的输入；

·要确定的两个推挽放大器输出信号(V₁，V₂)是所述第一推挽放大器和所述第二推挽放大器的输出信号；以及

·所述第一推挽放大器(20)和所述第二推挽放大器(21)的尺寸比被布置为被调节为相同的值。

4.根据权利要求3所述的电子集成电路，其中，所述第二放大器电路还被配置为将所述第一推挽放大器(20)的一对互补的晶体管器件替换为所述第二推挽放大器(21)的一对互补的晶体管器件，且将所述第二推挽放大器(21)的一对互补的晶体管器件替换为所述第一推挽放大器(20)的一对互补的晶体管器件。

5.根据权利要求1所述的电子集成电路，其中，所述第一放大器电路和所述第二放大器电路的推挽放大器的一对互补的晶体管器件分别是n型和p型场效应晶体管器件。

6.根据权利要求1所述的电子集成电路，其中，将所述可控开关实现为场效应晶体管(44，45，51)。