[发明专利]具有电流阻挡层的量子级联激光器有效
| 申请号： | 201480083807.4 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN107251346B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | A.比斯穆托;J.发斯特;E.吉尼;B.欣科夫 | 申请（专利权）人： | 阿尔佩斯激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/227;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;郑冀之 |
| 地址： | 瑞士圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电流 阻挡 量子 级联 激光器 | ||
1.一种半导体量子级联激光器，以在中IR范围内的波长处发射，具有基板（15；25）、活性区（12；22）、包层（11；21）、提供到所述活性区（12；22）中的电流注入的至少两个电极（13、16；23、26）以及掩埋式异质结构波导（14a—14c；24a、24b），
其特征在于
所述异质结构波导包括第一III-V半导体化合物的多个势垒层（14c；24c）的堆叠，其与至少一个第二III-V半导体化合物的多个掩埋层（14a、14b；24a、24b）交替地交错,
所述势垒层（14c；24c）中的至少一个由AlAs、InAlAs、InGaAs、InGaAsP或InGaSb的组中的一个的化合物组成。
2.根据权利要求1所述的量子级联激光器，其中，所述掩埋层（14a；24a）中的至少一个包括第一III-V半导体化合物，并且所述掩埋层（14b；24b）中的至少另一个包括第二、不同的III-V半导体化合物。
3.根据权利要求2所述的量子级联激光器，其中，
所述掩埋层（14a、14b；24a、24b）的第一半导体化合物是本征化合物，而第二化合物是掺杂化合物。
4.根据权利要求2所述的量子级联激光器，其中，
所述掩埋层（24a）中的至少一个包括本征化合物和第二、掺杂化合物两者。
5.根据权利要求2所述的量子级联激光器，其中，
所述掩埋层（14a、14b；24a、24b）的第一半导体化合物和第二化合物两者都是掺杂化合物。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的量子级联激光器，包括
第一数目的势垒层（14c；24c）和第二数目的掩埋层（14a 14b；24a、24b）的掩埋式异质结构波导，所述势垒层与所述掩埋层交替地堆叠。
7.根据权利要求6所述的量子级联激光器，其中，
每个势垒层（14c；24c）为在5和200nm之间的厚度，而掩埋层为在约50nm与约3μm之间的厚度。
8.根据前述权利要求1所述的量子级联激光器，包括以下结构的掩埋式异质结构波导：
，
其中InAlAs层（14c）为势垒层。
9.根据权利要求1所述的量子级联激光器，包括以下结构的掩埋式异质结构波导：
，
其中InAlAs层（24c）为势垒层。
10.根据权利要求1所述的量子级联激光器，包括以下结构的掩埋式异质结构波导：
，
其中InAlAs层为势垒层。
11.根据权利要求6所述的量子级联激光器，其中，
每个势垒层（14c；24c）为约50nm厚，而掩埋层为约600nm厚。
12.根据权利要求3所述的量子级联激光器，其中，
所述本征化合物是i:InP，以及所述掺杂化合物是Fe掺杂化合物。
13.根据权利要求12所述的量子级联激光器，其中，
所述Fe掺杂化合物是Fe掺杂InP。
14.根据权利要求4所述的量子级联激光器，其中，
所述本征化合物是i:InP，以及所述掺杂化合物是Fe掺杂化合物。
15.根据权利要求14所述的量子级联激光器，其中，
所述Fe掺杂化合物是Fe掺杂InP。
16.根据权利要求5所述的量子级联激光器，其中，
所述掺杂化合物是Fe掺杂化合物。
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