[发明专利]具有增大的调谐范围的CMOS变容二极管

权利要求书

1.一种变容二极管，包括：

阱；

多个栅极，所述多个栅极形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，所述栅极包括所述栅极的第一子组以及所述栅极的第二子组，所述栅极的第一子组是相邻且连续的并且耦合到激励振荡信号的正极，并且所述栅极的第二子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极；以及

多个源极/漏极结构，所述多个源极/漏极结构形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接以接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压，其中，所述多个源极/漏极结构以及对应的源极/漏极接触部不形成在任何两个所述栅极之间。

2.根据权利要求1所述的变容二极管，其中，所述第一子组的连续栅极耦合到所述正极而不存在耦合到负极的任何中间栅极。

3.根据权利要求1或2所述的变容二极管，其中，所述多个栅极中的每个栅极形成在FinFET结构的相应的相邻鳍状物之上。

4.根据权利要求3所述的变容二极管，其中，所述栅极的所述第一子组包括位于所述变容二极管的一侧上的两个相邻鳍状物上的两个栅极，并且所述栅极的所述第二子组包括位于所述变容二极管的另一侧上的两个其它的相邻鳍状物上的两个栅极。

5.根据权利要求1所述的变容二极管，其中，所述多个栅极中的每个栅极形成在平面结构的相应管脚之上。

6.根据以上权利要求1或2所述的变容二极管，其中，所述栅极的所述第一子组包括位于所述变容二极管的一侧上的两个相邻管脚上的两个栅极，并且所述栅极的所述第二子组包括位于所述变容二极管的另一侧上的两个其它的相邻管脚上的两个栅极。

7.根据以上权利要求1或2所述的变容二极管，还包括：所述栅极的第三子组，所述栅极的第三子组是相邻且连续的并且耦合到激励振荡信号的正极；以及所述栅极的第四子组，所述栅极的第四子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极，其中，所述第一子组和所述第二子组是相邻的并且所述第三子组和所述第四子组是相邻的。

8.根据以上权利要求1或2所述的变容二极管，其中，所述第一子组和所述第二子组包括栅极的交替对，在所述栅极的交替对中极性在所述对之间交错。

9.一种计算设备，包括：

电路板；

封装管芯，其耦合到所述电路板，所述管芯包括激励振荡信号源、控制电压源和变容二极管，所述变容二极管包括：

阱；

多个栅极，所述多个栅极形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，所述栅极包括所述栅极的第一子组以及所述栅极的第二子组，所述栅极的第一子组是相邻且连续的并且耦合到来自所述激励振荡信号源的激励振荡信号的正极，并且所述栅极的第二子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极；以及

多个源极/漏极结构，所述多个源极/漏极结构形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接以从所述控制电压源接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压，其中，所述多个源极/漏极结构以及对应的源极/漏极接触部不形成在任何两个所述栅极之间。

10.一种用于驱动变容二极管的方法，包括：

驱动所述变容二极管的多个栅极的第一子组上的正激励振荡信号，所述栅极的所述第一子组是相邻且连续的，所述多个栅极形成在阱之上并且具有至所述阱的电容性连接；

驱动所述变容二极管的所述多个栅极的第二子组上的负激励振荡信号，所述第二子组是相邻且连续的；以及

驱动多个源极/漏极结构上的控制栅极电压以控制所述变容二极管的电容，所述多个源极/漏极结构形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接，其中，所述多个源极/漏极结构以及对应的源极/漏极接触部不形成在任何两个所述栅极之间。