[发明专利]高性价比的整体式旋转靶材

权利要求书

1.一种包括溅射区域和凸缘区域的整体式旋转靶材，其中所述溅射区域由第一材料制成且所述凸缘区域由所述第一材料制成，其中所述溅射区域和所述凸缘区域是一体形成的。

2.根据权利要求1所述的靶材，其中所述凸缘区域具备增大的强度。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的靶材，其中所述凸缘区域经历加工工艺。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的靶材，其中所述凸缘区域邻近所述靶材的所述溅射区域。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的靶材，所述靶材包括盖，其中所述盖由不同于所述第一材料的第二材料制成。

6.根据权利要求5所述的靶材，其中所述盖为可重复使用的盖，且其中所述可重复使用的盖邻近所述溅射区域并在所述靶材的纵向方向上与所述凸缘区域相对。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的靶材，其中所述第一材料包括金属、金属合金、半导体材料和电介质材料。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的靶材，其中所述第二材料包括金属、金属合金、半导体材料和电介质材料。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的靶材，其中所述凸缘区域包括凸缘和中间部分。

10.根据权利要求9所述的靶材，其中所述中间部分在径向方向上的壁厚为5mm或大于5mm，特别为7mm至20mm。

11.根据权利要求9至10中任一项所述的靶材，其中所述中间部分的外径比所述溅射区域的外径更小。

12.一种用于沉积材料的设备，所述设备包含：

处理腔室；以及

至少一个整体式旋转靶材，所述整体式旋转靶材包含溅射区域和凸缘区域，其中所述溅射区域和所述凸缘区域由第一材料制成。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述至少一个整体式旋转靶材为整体式旋转阴极。

14.根据权利要求12至13中任一项所述的设备，其中所述至少一个整体式旋转靶材包含磁体组件。

15.一种制造整体式旋转靶材的方法，所述整体式旋转靶材包括溅射区域和凸缘区域，由相同材料一体形成所述溅射区域和所述凸缘区域。