[发明专利]使用N沟道和P沟道氮化镓晶体管的CMOS电路

说明书

CMOS电路可以使用p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管来形成，其中，p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管两者都形成在单个分层结构上，该单个分层结构包括沉积在第一氮化镓层上的极化层和沉积在极化层上的第二氮化镓层。在同一层结构上具有n沟道氮化镓晶体管和p沟道氮化镓晶体管两者可以实现电路包括从低电源电压跨越到高电源电压的逻辑、数字、和模拟电路的“全氮化镓晶体管”的实施方式。

技术领域

本描述的实施例总体上涉及微电子器件的领域，并且更具体来说，涉及使用n沟道和p沟道氮化镓晶体管形成CMOS(互补型金属氧化物半导体)电路和结构。

背景技术

微电子产业持续力图产生越来越快和越来越小的微电子封装体以用在各种电子产品中，包括但不限于，计算机服务器产品和便携式产品，例如膝上计算机/上网本计算机、电子平板设备、智能电话、数码相机、等等。实现这些目标的一条路径是制造片上系统(SoC)器件，其中，电子系统中的所有部件都制造在单个芯片上。在这样的SoC器件中，功率管理集成电路(PMIC)和射频集成电路(RFIC)是关键的功能块，并且在确定功率效率和这些SoC设备的形状因数方面与逻辑和存储器集成电路一样重要。因此，对于SoC器件，存在缩小和/或改进PMIC和RFIC的效率、以及逻辑和存储器集成电路的持续努力。

附图说明

在说明书的总结部分中详细指出并明显请求保护本公开内容的主题。结合附图，根据以下描述和所附权利要求，本公开内容的前述和其它特征将变得显而易见。应当理解的是，附图仅根据本公开内容描绘了若干实施例，并因此不应当被认为限制其范围。通过使用附图，本公开内容将被描述为具有另外的特征和细节，以使得可以更容易地确定本公开内容的优点，在附图中：

图1是本领域中已知的氮化镓电路的示意图。

图2是根据本描述的实施例的氮化镓电路的示意图。

图3-图9是根据本描述的一个实施例的制造的氮化镓电路结构的横截面侧视图。

图10是根据本描述的另一实施例的氮化镓电路结构的横截面侧视图。

图11和图12是根据本描述的又一实施例的氮化镓电路结构的横截面侧视图。

图13是根据本描述的又一实施例的氮化镓电路结构的横截面侧视图。

图14是根据本描述的另一实施例的氮化镓电路结构的横截面侧视图。

图15是根据本描述的实施例的制造氮化镓电路结构的工艺的流程图。

图16例示了根据本描述的一个实施方式的计算设备。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参照了附图，附图通过例示的方式示出了其中可以实施所请求保护的主题的具体实施例。足够详细地描述了这些实施例，以使得本领域技术人员能够实施该主题。应当理解的是，各个实施例尽管不同，但是并不一定彼此排斥。例如，在不脱离所请求保护的主题的精神和范围的情况下，可以在其它实施例内实现本文中结合一个实施例所描述的特定特征、结构、或特性。本说明书内对“一个实施例”或“实施例”的提及表示结合实施例所描述的特定特征、结构、或特性包括在包含在本描述内的至少一个实施方式中。因此，使用短语“一个实施例”或“在实施例中”不一定全都指代相同的实施例。此外，应当理解的是，在不脱离所请求保护的主题的精神和范围的情况下，可以修改每个所公开的实施例内的单独元件的位置或布置。因此，以下具体实施方式并不在限制性的意义上理解，并且主题的范围仅由所附权利要求连同所附权利要求所赋予的等同方式的全部范围来限定、适当地理解。在附图中，贯穿若干视图，类似的附图标记指代相同或类似的元件或功能，并且本文中所描绘的元件并不一定彼此按比例缩放，相反，可以放大或缩小个体的元件，以便在本描述的背景中更容易地理解元件。