[发明专利]生成分组忆阻器的代表性逻辑指示符

说明书

描述了用于生成分组忆阻器的代表性逻辑指示符的设备。该设备包括忆阻器阵列。忆阻器阵列包括具有第一逻辑指示符集合的一定数目第一忆阻器以及具有第二逻辑指示符集合的一定数目第二忆阻器。第二逻辑指示符集合不同于第一逻辑指示符集合。在存储器读取操作期间每一个第一忆阻器与对应的第二忆阻器分组在一起，以生成代表性逻辑指示符。

背景技术

存储器阵列用于存储数据。存储器阵列可以由一定数目存储器元件构成。可以通过设置存储器阵列内的存储器元件的值来将数据存储到存储器元件。例如，忆阻器可以被设置为0、1或其组合，以将数据存储在忆阻器阵列的忆阻器中。

附图说明

附图图示了本文描述的原理的各种示例并且是本说明书的一部分。所示示例不限制权利要求的范围。

图1是根据本文所描述的原理的一个示例的、用于生成分组忆阻器的代表性逻辑指示符的系统的图。

图2是根据本文所描述的原理的一个示例的、用于生成分组忆阻器的代表性逻辑指示符的方法的流程图。

图3是根据本文所描述的原理的一个示例的、用于生成分组忆阻器的代表性逻辑指示符的系统的图。

图4是根据本文所描述的原理的一个示例的、用于生成分组忆阻器的代表性逻辑指示符的设备的电路图。

在整个附图中，相同的附图标记指示类似但不一定相同的元件。

具体实施方式

如上所述，存储器阵列可以用于通过设置存储器阵列内的存储器位值来存储数据。更具体地，包括一定数目忆阻器的忆阻器阵列可以用于通过设置忆阻器阵列内的忆阻器电阻电平来存储数据，每个电阻电平对应于特定逻辑电平。在使用忆阻器作为存储器电路中的元件时，通过施加不同极性的电压脉冲以将忆阻器设置为“低电阻电平”来模拟数字操作，低电阻电平与逻辑电平相关联，该逻辑电平可以由诸如“1”的二进制值来指示。类似地，不同极性或不同值的电压脉冲可以将忆阻器设置为“高电阻电平”，该电阻电平与另一逻辑电平相关联，该逻辑电平可以由诸如“0”的二进制值来指示。不同的忆阻器可以使用不同的电阻电平来指示类似的逻辑电平。

在跨忆阻器施加电压的切换事件期间，忆阻器可以在低电阻电平和高电阻电平之间切换。每个忆阻器具有切换电压，切换电压是指用于切换忆阻器的电阻电平的电压。当供应的电压大于忆阻器有效切换阈值电压时，忆阻器切换电阻电平。切换电压很大程度上基于忆阻器的尺寸。

由于忆阻器的非易失性、低操作功耗特性及其紧凑的尺寸而可以使用忆阻器。在示例中，忆阻器可以用作一次性编程元件，其中信息被存储在一定数目忆阻器中。这可以通过将一定数目忆阻器设置为低/高电阻电平来完成。忆阻器形成将存储上述数据的一串1和0。如果使用模拟忆阻器，则可能存在许多不同的电阻状态。虽然忆阻器可以用作有益的存储器存储设备，但是其使用呈现出许多复杂情况。

例如，如上所述，每个忆阻器可以具有与特定逻辑电平相关联的一定数目电阻值，例如，第一逻辑电平，即二进制“1”可以由10千欧(kΩ)的电阻电平指示，并且第二逻辑电平，即二进制“0”可以由100kΩ指示。为了复制这些逻辑电平，用户可以简单地指示大于50kΩ的任何值表示逻辑0，并且小于50kΩ的任何值表示逻辑1。换言之，在使用一级逻辑区分即1和0时，伪造者可能能够劫持忆阻器阵列并在忆阻器阵列上重新存储信息。此外，随着新技术发展，电路空间变得更加有价值。因此，可能期望更大量的数据存储在设备内占用更少的空间。