[发明专利]电压产生电路有效
申请号: | 201480081451.0 | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN106664011B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 铃木良尚;中川道雄 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;G05F1/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘静;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 产生 电路 | ||
根据本实施方式的电压产生电路,具备:电荷泵电路(20),其对被输入到第1节点的电压进行升压,向第2节点输出第1信号(VX2);运算放大器(37),其接收第1基准电压(VREF1)和对所述第2节点的电压进行了分压后的第1电压,向第3节点输出第2信号(REGL);第1晶体管(90),其栅极连接于所述第3节点,一端连接于电源连接,另一端连接于所述第1节点;逻辑电路(30,60),其检测所述第2节点的电压,输出第3信号;以及充电电路(40),其接收所述第3信号,对所述第3节点的电压进行充电。
技术领域
本实施方式涉及电压产生电路。
背景技术
在电压产生电路中,为了减少升压电路(charge pump circuit,电荷泵电路)的输出中的纹波(ripple),提出了通过运算放大器(operational amplifier)来控制升压时钟以及初始充电电压的电源电压的方法。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2006-014581号公报
专利文献2:日本特开2010-004717号公报
专利文献3:日本特开2008-086165号公报
专利文献4:日本特开平08-190437号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
提供一种减少输出电压的过冲(overshoot)的电压产生电路。
用于解决问题的技术方案
本实施方式的电压产生电路,具备:电荷泵电路,其对被输入到第1节点的电压进行升压,向第2节点输出第1信号;运算放大器,其接收第1基准电压和对所述第2节点的电压进行了分压后的第1电压,向第3节点输出第2信号;第1晶体管,其栅极连接于所述第3节点,一端连接于电源,另一端连接于所述第1节点;逻辑电路,其检测所述第2节点的电压,输出第3信号;以及充电电路,其接收所述第3信号,对所述第3节点的电压进行充电。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的半导体存储装置的构成的框图。
图2是表示第1实施方式涉及的电压产生电路的构成的框图。
图3是表示图2所示的充电电路以及锁存电路的构成的框图。
图4是表示由图3所示的锁存电路输出的各信号的真值的图。
图5是表示第1实施方式涉及的电压产生电路的工作的时序图。
图6是表示比较例涉及的电压产生电路的构成的框图。
图7是表示比较例涉及的电压产生电路的工作的时序图。
图8是表示第2实施方式涉及的电压产生电路的构成的框图。
图9是表示图8所示的放电电路以及锁存电路的构成的框图。
图10是表示第2实施方式涉及的电压产生电路的工作的时序图。
标号的说明
20…电荷泵电路,30…限制电路,34、35…比较器,37…运算放大器,40…充电电路,41、62、63、64、82,83、84…NAND门,42、43…PMOS晶体管,50…时钟控制电路,60、80…锁存电路、61、81…OR门,70…放电电路,71…NOR门,72…NMOS晶体管,90…调节晶体管。
具体实施方式
以下参照附图来说明本实施方式。在附图中,对相同部分标注相同的参照标号。另外,根据需要来进行重复的说明。
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