[发明专利]漏电断路器

说明书

具有：开闭触点(2)，其对交流电路(1)进行开闭；零序电流器(3)，其对交流电路(1)的漏电流进行检测；降压电路(53)，其将从交流电路(1)供给的电力降压成固定电压的电力；漏电检测电路(6)，其由降压电路(53)进行电源供给，基于零序变流器(3)的检测信号对漏电进行检测；跳闸装置(4)，其由降压电路(53)进行电源供给，被漏电检测电路(6)驱动而使开闭触点(2)进行分离；晶闸管(54a)，其设置于降压电路(53)的输入侧的线间，在降压电路(53)的输入电压达到规定值时导通；以及第1齐纳二极管(54b)，其是阴极朝向降压电路(53)的正极侧而设置的，与晶闸管(54a)形成串联体。

技术领域

本发明涉及一种在电路的漏电流大于或等于规定值时将该电路断开的漏电断路器，特别涉及一种漏电断路器的动作电源。

背景技术

在这种漏电断路器中内置的电源电路，在将从交流电路供给的交流电压(例如AC100V)通过整流电路变换成直流电压之后，将整流后的直流电压通过降压电路变换成更低的电压(例如，DC24V)，对漏电检测电路、跳闸装置供给驱动电源。

在这样的电源电路中，需要保护漏电检测电路、跳闸装置不受由于雷击或电弧接地等而在交流电路产生的浪涌电压、由于电磁接触器、继电器的开闭而产生的开闭浪涌等瞬时或者断续的浪涌电压(例如几千伏特)的影响。

作为其保护方法，已知一种电源电路，该电源电路设置有下述部件：电压检测电路，其根据整流电路的输出电压而检测浪涌电压；升压电路，其在该电压检测电路检测出浪涌电压时使降压电路的输出电压进行升压；以及电流吸收电路，其设置于降压电路的输出侧，在降压电路的输出电压达到规定的值时对浪涌电流进行吸收(例如，参照专利文献1)。

另外，作为其他浪涌电压的保护方法而存在下述方法，即，在整流电路与降压电路之间设置有过电压吸收单元。更详细地说，在使用齐纳二极管对侵入至交流电路的浪涌电压进行检测的过电压检测电路、降压电路的输入部的两端并联连接晶闸管和电容器的串联体，在过电压检测电路检测出浪涌电压的情况下，使晶闸管导通而使电容器吸收浪涌电压(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2009-95125号公报(图1)

专利文献2：日本特开2009-195033号公报(图5)

发明内容

在现有的漏电断路器的电源电路中，在感应产生浪涌电压的情况下，通过升压电路使降压电路的输出电压进行升压，在降压电路的输出电压达到规定的值时使电流流过对浪涌电流进行吸收的电流吸收电路，从而钳位于固定的电压，防止构成漏电检测电路的部件因为过电压而发生故障。在该情况下，由于利用构成降压电路的MOS-FET使浪涌旁通，因此存在需要容许损耗大的大型的MOS-FET这样的问题。

另外，也考虑到在专利文献1中的整流电路与降压电路之间设置专利文献2所记载的保护单元。然而，在被施加了浪涌电压时，晶闸管对浪涌进行旁通，因此几乎所有的浪涌电压由在与整流电路相比设置于交流电路侧的输入电阻负担。因此，晶闸管的阳极与阴极之间的电压即整流电路的输出电压与晶闸管的导通电压(例如，2V)相等，MOS-FET的栅极与源极之间的电压小于或等于MOS-FET的栅极阈值电压(例如，4V)。于是，会产生下述问题，即，降压电路的输出电压有可能降低至例如0V而无法驱动跳闸装置，丧失作为漏电断路器的功能。

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于能够使用最大容许损耗小的MOS-FET，实现漏电断路器的小型化。