[发明专利]离子蚀刻装置以及试料加工方法

权利要求书

1.一种离子蚀刻装置，其对试料照射离子束而对上述试料进行蚀刻，该离子蚀刻装置的特征在于，

具备：

释放上述离子束的离子源；

载置并固定试料的试料支架；

试料遮蔽件，其用于覆盖上述试料，仅使上述试料的一部分作为蚀刻对象而露出；以及

离子束照射区域限制部件，其配置于上述试料遮蔽件与上述离子源之间，用于限制上述离子束相对于上述试料的照射区域，

还具备用于固定上述试料遮蔽件的遮蔽件支架，

上述离子束照射区域限制部件与上述遮蔽件支架接触地设置，

上述离子束照射区域限制部件具备从其前端延伸的、用于防止上述离子束折回的折回部。

2.根据权利要求1所述的离子蚀刻装置，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件在空间上从上述试料遮蔽件离开地配置。

3.根据权利要求1所述的离子蚀刻装置，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件是具有预定宽度的切口的遮蔽板。

4.根据权利要求1所述的离子蚀刻装置，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件是具有预定大小的开口部的遮蔽板。

5.根据权利要求1所述的离子蚀刻装置，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件由具有多个不同宽度的切口的遮蔽板构成，

还具备遮蔽板移动机构，其用于使上述离子束照射区域限制部件移动而使多个不同宽度的上述切口分别与上述试料的露出部分对置。

6.根据权利要求1所述的离子蚀刻装置，其特征在于，

还具备用于冷却上述离子束照射区域限制部件的冷却机构。

7.根据权利要求6所述的离子蚀刻装置，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件由热传导性比上述试料遮蔽件高的材料构成。

8.一种试料加工方法，其通过向试料照射离子束而对上述试料进行离子蚀刻，加工上述试料，该试料加工方法的特征在于，

在试料支架上载置上述试料，

在载置于上述试料支架的上述试料上载置试料遮蔽件，该试料遮蔽件用于覆盖上述试料，仅使上述试料的一部分作为蚀刻对象而露出，

在上述试料遮蔽件与离子源之间配置用于限制上述离子束相对于上述试料的照射区域的离子束照射区域限制部件，

通过上述离子束照射区域限制部件向上述试料的露出部分照射以3kV左右的加速电压从上述离子源释放的离子束，

使上述离子束照射区域限制部件与用于固定上述试料遮蔽件的遮蔽件支架接触地设置，

上述离子束照射区域限制部件具有从其前端延伸的、用于防止上述离子束折回的折回部。

9.根据权利要求8所述的试料加工方法，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件在空间上从上述试料遮蔽件离开地配置。

10.根据权利要求8所述的试料加工方法，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件是具有预定宽度的切口的遮蔽板。

11.根据权利要求8所述的试料加工方法，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件是具有预定大小的开口部的遮蔽板。

12.根据权利要求8所述的试料加工方法，其特征在于，

上述离子束照射区域限制部件由具有多个不同宽度的切口的遮蔽板构成，

另外，通过遮蔽板移动机构使上述离子束照射区域限制部件移动，从而使多个不同宽度的上述切口分别与上述试料的露出部分对置。