[发明专利]EUV光刻装置及其曝光方法有效
| 申请号： | 201480078178.6 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106255922B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郑乐平;许琦欣;王帆;吴飞 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射式掩模 曝光 位置测量 掩模台 硅片 面型 承载 高真空环境 交替使用 受热形变 散热 产率 像质 掩模 测量 受损 节约 | ||
【说明书】：
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