[发明专利]火花塞有效
| 申请号: | 201480071137.4 | 申请日: | 2014-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN105849992B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
| 发明(设计)人: | 高冈胜哉;黑泽和浩;田中邦治;本田稔贵;黑野启一;吉田治树;上垣裕则 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号: | H01T13/20 | 分类号: | H01T13/20 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 火花塞 | ||
1.一种火花塞,该火花塞包括:
绝缘体,其具有沿轴线的方向延伸的通孔;
中心电极,其至少一部分插入于所述通孔的前端侧;
端子金属配件,其至少一部分插入于所述通孔的后端侧;
连接部,其在所述通孔内将所述中心电极和所述端子金属配件之间连接起来,
其中,
所述连接部具有:
电阻体;以及
磁性体构造物,其配置在所述电阻体的前端侧或后端侧的、离开所述电阻体的位置,且该磁性体构造物包括磁性体和导电体,
将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件,将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件,此时,
所述连接部还包括:
第一导电性密封部,其配置在所述第一构件的前端侧,并与所述第一构件接触;
第二导电性密封部,其配置在所述第一构件和所述第二构件之间,并与所述第一构件和所述第二构件接触;
第三导电性密封部,其配置在所述第二构件的后端侧,并与所述第二构件接触,
所述磁性体构造物包括:
1)作为所述导电体的导电性物质;
2)作为所述磁性体的含铁氧化物;以及
3)含硅(Si)、硼(B)和磷(P)中的至少一种的陶瓷,
在所述磁性体构造物的包括所述轴线的截面中,
将以所述轴线为中心线,且与所述轴线垂直的方向上的大小为2.5mm,所述轴线的方向上的大小为5.0mm的矩形区域作为对象区域,此时,
在所述对象区域中,所述含铁氧化物的区域包括多个粒状区域,
在所述对象区域中,所述多个粒状区域各自的边缘的至少一部分被所述导电性物质所覆盖,
在将所述粒状区域的所述边缘的、被所述导电性物质所覆盖的部分的长度相对于所述粒状区域的所述边缘的全长的比例设为覆盖率时,在所述对象区域中,所述多个粒状区域的所述覆盖率的平均值为50%以上,
在所述磁性体构造物的所述截面上的所述对象区域内,处于具有与所述粒状区域的面积相同的面积的圆的直径为400μm以上且1500μm以下的范围内的粒状区域的总数为6个以上。
2.根据权利要求1所述的火花塞,其中,
所述磁性体构造物的从前端到后端的电阻值为3kΩ以下。
3.根据权利要求2所述的火花塞,其中,
所述磁性体构造物的从所述前端到所述后端的电阻值为1kΩ以下。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的火花塞,其中,
所述导电体包括将所述磁性体的外周的至少一部分包围起来的螺旋状的线圈,
所述线圈的电阻值小于所述磁性体的电阻值。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的火花塞,其中,
所述导电体包括沿所述轴线的方向贯穿所述磁性体的导电部。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的火花塞,其中,
所述磁性体构造物配置在所述电阻体的后端侧。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的火花塞,其中,
所述连接部还包括覆盖部,所述覆盖部覆盖所述磁性体构造物的外表面的至少一部分,且所述覆盖部介于所述磁性体构造物和所述绝缘体之间。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的火花塞,其中,
所述磁性体使用含氧化铁的强磁性材料而形成。
9.根据权利要求8所述的火花塞,其中,
所述强磁性材料为尖晶石型铁氧体。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的火花塞,其中,
所述磁性体为NiZn铁氧体或MnZn铁氧体。
11.根据权利要求1-3中任一项所述的火花塞,其中,
在所述磁性体构造物的所述截面上的所述对象区域中的、除了所述含铁氧化物的所述区域之外的剩余的区域中,气孔率为5%以下。
12.根据权利要求11所述的火花塞,其中,
在所述磁性体构造物的所述截面上的所述对象区域中,覆盖所述粒状区域的边缘的所述导电性物质的最小厚度为1μm以上且25μm以下。
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