[发明专利]针对离子注入系统的降低轨迹金属污染的离子源有效
| 申请号： | 201480068636.8 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105900208B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 谢泽仁;奈尔·卡尔文 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阴极 离子注入系统 离子化区域 离子源室 内部表面 外壳内部 阴极屏蔽 碳化硅 源孔 排斥 非化学计量 操作期间 高能电子 金属污染 气体分子 烧结材料 插入件 离子化 离子源 相分离 界定 内壁 离子 穿过 释放 暴露 移动 | ||
【说明书】：
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