[发明专利]低噪声低压差调节器

权利要求书

1.一种调节器电路，包括：

放大器，所述放大器被布置为接收参考电压和反馈电压，并且输出控制信号；

电容，所述电容被布置为接收升压信号，并且基于所述升压信号来增大所述控制信号的幅值；

传输器件，所述传输器件被布置为基于所述控制信号来输出经调节的电压；以及

升压信号源，所述升压信号源被布置为提供所述升压信号，其中，所述升压信号源被布置为接收所述放大器处所输出的平衡的差分信号，所述平衡的差分信号包括具有大体上相等幅值的一对反相信号。

2.根据权利要求1所述的调节器电路，其中，所述传输器件用于基于所述传输器件的栅极处的所述控制信号来输出所述经调节的电压。

3.根据权利要求1所述的调节器电路，其中，所述放大器被布置为基于所述参考电压与所述反馈电压之间的差异来输出所述控制信号。

4.根据权利要求1所述的调节器电路，其中，所述升压信号源被布置为对所述升压信号的幅值进行调节。

5.根据权利要求1所述的调节器电路，其中，所述放大器包括单级运算放大器。

6.根据权利要求1所述的调节器电路，其中，所述反馈电压基于所述经调节的电压的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的调节器电路，其中，所述升压信号源包括运算放大器，并且通往所述运算放大器的差分输入包括所述放大器的差分输出。

8.根据权利要求7所述的调节器电路，其中，所述放大器的所述差分输出包括平衡电路的至少一部分。

9.一种电压调节器，包括：

放大器，所述放大器具有耦合到参考电压的第一输入和耦合到反馈电压的第二输入，所述电压调节器的输出基于从所述放大器输出的控制信号；

电容，所述电容耦合到所述放大器的第一输出，并且被布置为基于接收到升压信号来增大所述控制信号的幅值；以及

升压放大器，所述升压放大器具有耦合到所述放大器的所述第一输出的第一输入和耦合到所述放大器的第二输出的第二输入，所述升压放大器的输出包括所述升压信号。

10.根据权利要求9所述的电压调节器，还包括晶体管器件，所述晶体管器件被布置为接收输入电压，并且基于所述控制信号来输出经调节的电压。

11.根据权利要求10所述的电压调节器，其中，所述晶体管器件包括N沟道传输晶体管器件。

12.根据权利要求9所述的电压调节器，还包括电压调节回路，所述电压调节回路耦合到所述放大器的所述第二输入，并且被布置为基于所述电压调节器的所述输出来提供所述反馈电压。

13.根据权利要求9所述的电压调节器，还包括分压器，所述分压器被布置为输出所述反馈电压。

14.根据权利要求9所述的电压调节器，其中，所述电压调节器的低频回路增益包括所述放大器的增益乘以所述升压放大器的增益。

15.根据权利要求9所述的电压调节器，其中，所述放大器包括单级运算放大器。

16.根据权利要求9所述的电压调节器，其中，所述放大器的所述第一输出处的第一输出信号与所述放大器的所述第二输出处的第二输出信号在幅值上大体上相等并且在极性上相反。

17.根据权利要求9所述的电压调节器，其中，所述升压放大器包括被布置为对所述升压信号进行调节的运算放大器。

18.根据权利要求9所述的电压调节器，其中，所述升压放大器不会对所述电压调节器的高频热噪声做贡献。

19.根据权利要求9所述的电压调节器，其中，所述放大器和所述升压放大器的至少其中之一由一组对称的互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管对构成。

20.根据权利要求9所述的电压调节器，其中，所述放大器和所述升压放大器包括电气等效器件。

21.根据权利要求9到20中的任一项所述的电压调节器，其中，所述电压调节器是低压差电压调节器。