[发明专利]具有偏置的同心凹槽图案的边缘排除区域的化学机械抛光抛光垫有效
申请号: | 201480066220.2 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN105793962B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 蔡庆铭;郑世伟;徐嘉成;杨坤树;陈辉峰;G.高德特;刘圣焕 | 申请(专利权)人: | 嘉柏微电子材料股份公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邢岳 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 偏置 同心 凹槽 图案 边缘 排除 区域 化学 机械抛光 抛光 | ||
1.一种抛光垫,其中该抛光垫的特征在于总体上圆形的横截面,其中该抛光垫包含旋转轴及抛光表面,其中该抛光表面至少包含凹槽区域及排除区域,其中该凹槽区域包含多个设置于该抛光表面中的凹槽,其中所述多个凹槽至少由多个具有第一同心中心的第一同心凹槽组成,其中该抛光垫的该旋转轴不与该第一同心中心重合,其中该排除区域不含凹槽,其中该排除区域与该抛光垫的圆周相邻,其中该排除区域具有外边界及内边界,其中该排除区域的该外边界与该抛光垫的该圆周相接,且其中从该抛光垫的该圆周至该排除区域的内边界的距离大于零,其中所述多个凹槽进一步由多个具有第二同心中心的第二同心凹槽组成,其中该第一同心中心不与该第二同心中心重合,且其中该抛光垫的该旋转轴不与该第一同心中心及该第二同心中心重合。
2.根据权利要求1所述的抛光垫,其中从该抛光垫的该圆周至该排除区域的该内边界的平均距离用DA表示,且其中DA为0.1cm至2cm。
3.根据权利要求2所述的抛光垫,其中DA为1cm至1.5cm。
4.根据权利要求2或3所述的抛光垫,其中DA具有0.5或更小的标准偏差。
5.一种抛光垫,其中该抛光垫的特征在于总体上圆形的横截面,其中该抛光垫包含旋转轴及抛光表面,其中该抛光表面至少包含凹槽区域及排除区域,其中该凹槽区域包含多个设置于该抛光表面中的凹槽,其中所述多个凹槽至少由多个具有第一同心中心的第一同心或近似同心的多边形凹槽组成,其中该抛光垫的该旋转轴不与该第一同心中心重合,其中该排除区域不含凹槽,其中该排除区域与该抛光垫的圆周相邻,其中该排除区域具有外边界及内边界,其中该排除区域的该外边界与该抛光垫的该圆周相接,且其中从该抛光垫的该圆周至该排除区域的该内边界的距离大于零,其中所述多个凹槽进一步由多个具有第二同心中心的第二同心或近似同心的多边形凹槽组成,其中该第一同心中心不与该第二同心中心重合,且该抛光垫的该旋转轴不与该第一同心中心及该第二同心中心重合。
6.根据权利要求5所述的抛光垫,其中从该抛光垫的该圆周至该排除区域的该内边界的平均距离用DA表示,且其中DA为0.1cm至2cm。
7.根据权利要求6所述的抛光垫,其中DA为1cm至1.5cm。
8.根据权利要求6或7所述的抛光垫,其中DA具有0.5或更小的标准偏差。
9.一种化学机械抛光基板的方法,该方法包括:
(a)使基板与化学机械抛光组合物及根据权利要求1-8中任一项所述的抛光垫接触,
(b)相对于该基板移动该抛光垫,其间具有该化学机械抛光组合物,及
(c)磨除该基板的至少一部分以抛光该基板。
10.根据权利要求9所述的方法,其中该基板的表面上的缺陷数低于在相同抛光条件下使用不含有该排除区域的在其它方面相同的抛光垫时的该基板的该表面上的缺陷数。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中该基板包含铜,且其中将该铜中的至少一些自该基板移除以抛光该基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造