[发明专利]用于使硅脱氧的方法

权利要求书

1.一种用于使硅颗粒脱氧的方法，所述方法至少包括下列步骤：

(i)获取具有平均尺寸小于或等于10μm的表面氧化的硅颗粒，

(ii)将所述颗粒配制成平均尺寸范围为20μm至300μm的聚集体的形式，

(iii)将步骤(ii)的所述聚集体在适合于所述聚集体脱氧以及适合于所 述聚集体不蒸发的条件下与运送氢自由基的热等离子体接触，以及

(iv)在液体硅浴中回收根据步骤(iii)的脱氧的材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(i)的所述表面氧化的硅颗 粒具有相对于所述表面氧化的硅颗粒的总重量按重量计大于或等于20％的氧含 量。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，步骤(i)的所述表面氧化的 硅颗粒在表面上具有厚度范围为5nm至50nm的氧化硅层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，步骤(i)的所述表面 氧化的硅颗粒具有从100nm至10μm、优选地从200nm至2μm变化的平均尺寸。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，步骤(ii)的所述聚 集体具有范围为50μm至200μm的平均尺寸。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，步骤(ii)的所述聚 集体通过将所述硅颗粒喷雾干燥而形成。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在其中形成步骤(iii) 的等离子体的气体包括选自氩气、氦气和氖气、及其混合物的惰性气体和氢气， 所述氢气按体积计的比例范围为0.5％至50％、优选地按体积计比例范围为1％ 至25％。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，步骤(iii)的所述等 离子体由等离子体焊炬，优选地通过射频型感应等离子体焊炬生成。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述聚集体在后放电 区域中，通过运载气体被注入与所述等离子体接触，所述运载气体优选为惰性 气体、尤其为氩气。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述液体硅浴中连 续地进行回收所述脱氧的材料的步骤(iv)。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括步骤(v)，在所述步骤 (v)中，利用所述热等离子体处理含有步骤(iii)的所述脱氧的材料的所述液 体硅浴，以完成脱氧。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在步骤(iv)中或适 当情况下在步骤(v)中所获得的材料具有相对于所述材料的总重量按重量计小 于或等于10％、优选地按重量计小于或等于5％的氧含量。