[发明专利]控制离子束的装置与方法以及离子植入机

权利要求书

1.一种控制离子束的装置，包括：

扫描器，经配置于第一状态接收点束且输出具有第一发散角度的发散离子束，且经配置于第二状态传送具有第二发散角度的带状束且未扫描所述带状束；

准直器，经配置以沿着所述准直器的一侧接收所述发散离子束及输出作为准直离子束的所述发散离子束；

束调整构件，延伸接近所述准直器的所述侧；以及

控制器，在所述扫描器处于所述第一状态时经配置以传送第一信号到所述束调整构件，以将所述发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹，所述第二组轨迹定义第三发散角度，所述第三发散角度比所述第一发散角度接近所述第二发散角度，且在所述扫描器处于所述第二状态时所述控制器还经配置以调整在所述带状束中的束均匀度。

2.根据权利要求1所述的控制离子束的装置，其中当所述扫描器处于所述第一状态时所述束调整构件经配置以在接近所述发散离子束的多个个别位置调整多个磁场。

3.根据权利要求1所述的控制离子束的装置，其中在所述第一状态中，所述扫描器经配置以接收所述点束且产生所述发散离子束做为第一发散离子束，所述第一发散离子束在第一源位置定义第一源，且其中在所述第二状态中，所述扫描器经配置以传送所述带状束，所述带状束形成第二发散离子束，所述第二发散离子束在位于所述第一源位置上游的第二源位置定义第二源。

4.根据权利要求1所述的控制离子束的装置，其中所述准直器为磁性准直器。

5.根据权利要求1所述的控制离子束的装置，其中当所述扫描器处于所述第二状态时所述束调整构件经操作以借着调整在接近所述带状束的一位置处的至少一磁场来调整在所述带状束中的束均匀度。

6.一种离子植入机，包括：

离子源，以产生离子束做为点束或带状束；

扫描器，经配置于第一状态接收所述点束且输出发散离子束作为具有第一发散角度的第一发散离子束，且经配置于第二状态传送所述带状束作为具有第二发散角度的第二发散离子束且未扫描所述带状束；

准直器，以在所述准直器的一侧接收所述发散离子束，且输出所述发散离子束做为准直离子束；

束调整构件，延伸接近所述准直器的所述侧；以及

控制器，在所述扫描器处于所述第一状态时经配置以传送信号到所述束调整构件，以将所述发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹，所述第二组轨迹定义第三发散角度，所述第三发散角度比所述第一发散角度接近所述第二发散角度，且在所述扫描器处于所述第二状态时所述控制器还经配置以调整在所述带状束中的束均匀度。

7.根据权利要求6所述的离子植入机，其中所述控制器经配置以在所述第一状态中启动所述扫描器，且在所述第二状态中停用所述扫描器。

8.根据权利要求6所述的离子植入机，还包括质量解析狭缝，其中在所述第一状态中，所述第一发散束在所述扫描器中定义第一源位置，且其中在所述第二状态中，所述第二发散束在所述质量解析狭缝处定义第二源位置。

9.根据权利要求6所述的离子植入机，其中所述第二组轨迹比所述第一组轨迹更聚集。

10.一种用于控制离子束的方法，包括：

传送第一信号，以启动扫描器以扫描点束，形成具有第一发散角度的发散离子束；

传送第二信号到束调整构件，以调整所述发散离子束，形成小于所述第一发散角度的第二发散角度；

在所述扫描器接收具有第三发散角度的带状束时传送第三信号，以停止扫描，所述第二发散角度比所述第一发散角度接近所述第三发散角度；以及

传送第四信号给所述束调整构件，以调整在所述带状束中的束均匀度。

11.根据权利要求10所述的用于控制离子束的方法，其中传送所述第一信号包括传送调整沿着所述束调整构件的多个磁场的信号。

12.根据权利要求10所述的用于控制离子束的方法，更包括：

在传送所述第三信号以停用所述扫描器之后，

量测接近所述束调整构件的所述带状束的束均匀度；以及

传送所述第四信号给所述束调整构件，以调整沿着所述束调整构件的至少一磁场，以改善所述束均匀度。