[发明专利]光电子半导体材料的整面的光学表征的方法和执行该方法的设备

权利要求书

1.一种用于光电子的半导体材料(1)的整面的光学表征的方法，所述半导体材料设置用于制造多个光电子半导体芯片并且所述半导体材料具有给出所述半导体材料(1)的特征波长的带隙，所述方法具有下述步骤：

A)用具有小于所述半导体材料(1)的特征波长的激发波长的光(20)整面地辐照所述光电子的半导体材料(1)的主表面(11)，以在所述半导体材料(1)中产生电子空穴对；

B)整面地检测通过所述电子空穴对的复合从所述半导体材料(1)的所述主表面(11)放射的、具有特征波长的复合辐射(30)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述半导体材料(1)施加在载体(4)上，所述载体通过衬底晶片(14)形成。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中将所述半导体材料(1)划分为至少部分地彼此分离的功能区域(10)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体材料(1)分割为完全彼此分离的功能区域(10)，所述功能区域设置在共同的载体(4)上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中通过激光分离进行分割。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，其中所述半导体材料(1)的所述功能区域(10)中的每个是光电子半导体芯片的部分。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中借助于照相机(3)检测复合辐射，所述照相机拍摄所述半导体材料(1)的通过所述复合辐射照亮的整个所述主表面(11)的图像。

8.根据权利要求7所述的方法，其中以计算机辅助的方式评估所述图像。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述半导体材料(1)的所述特征波长在蓝色的至绿色的光谱范围中，并且所述激发波长在紫外的光谱范围中。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述半导体材料(1)的所述特征波长在黄色至红色的光谱范围中，以及所述激发波长在绿色的光谱范围中。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述半导体材料(1)的所述特征波长在红外的光谱范围中，以及所述激发波长在近红外的光谱范围中。

12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中通过多个发光二极管(22)产生具有所述激发波长的光，在所述发光二极管的下游设置光学的短波通滤光片(23)，所述短波通滤光片对于具有所述激发波长的光(20)是可透射的以及是对于所述复合辐射(30)是不可透射的。

13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中通过光学的长波通滤光片(31)进行所述复合辐射(30)的检测，所述长波通滤光片对于具有所述激发波长的光(20)是不可透射的以及是对于所述复合辐射(30)是可透射的。

14.一种用于执行根据权利要求1至13中任一项所述的方法的设备，所述设备具有：用于半导体材料(1)的固持装置(9)；用于产生具有激发波长的光(20)的照明源(2)；用于检测复合辐射(30)的检测器(3)，

其中所述照明源(2)和所述检测器(3)这两者都设置在所述半导体材料(1)的主表面(11)上方。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述照明源(2)设置在所述半导体材料(1)之上并且具有开口(21)，所述复合辐射(30)能够穿过所述开口到达所述检测器(3)。

16.根据权利要求14或15所述的设备，其中所述照明源(2)环形地构成。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的设备，其中所述照明源具有多个发光二极管(22)，在所述发光二极管的下游设置有光学的短波通滤光片(23)，所述短波通滤光片对于具有所述激发波长的光是可透射的以及是对于所述复合辐射(30)是不可透射的。

18.根据权利要求14至17中任一项所述的设备，其中所述检测器(3)具有照相机，所述照相机拍摄所述半导体材料(1)的通过所述复合辐射(30)照亮的整个所述主表面(11)的图像。

19.根据权利要求18所述的设备，所述设备还具有用于以计算机辅助的方式评估所述图像的分析单元(8)。

20.根据权利要求14至19中任一项所述的设备，其中在所述检测器(3)和所述半导体材料(1)之间设置有光学的长波通滤光片(31)，所述长波通滤光片对于具有所述激发波长的光(20)是不可透射的以及是对于所述复合辐射(30)是可透射的。