[发明专利]晶体硅太阳能电池上的钝化堆叠件

权利要求书

1.用于在晶体硅太阳能电池器件(1)上制造钝化堆叠件的方法，所述方法包括以下步骤：

-提供包括晶体硅层(2)的基板；

-通过至少从所述晶体硅层(2)的一面的一部分去除氧化物层来清洁所述晶体硅层(2)的表面(21,23)；

-在至少部分清洁的表面(21,23)上沉积氮氧化硅层(3)；以及

-在所述氮氧化硅层(3)的顶部沉积包含氢化的介电材料的覆盖层(5)，其中在100℃至200℃的温度下沉积氮氧化硅层(3)，特征在于沉积所述氮氧化硅层(3)的步骤包括以下子步骤：

-在N₂环境气氛中使用N₂O和SiH₄作为前体气体；以及

-用低于2的N₂O与SiH₄的气体流量比来沉积氮氧化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在100℃至150℃的温度下沉积氮氧化硅层(3)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在100℃至130℃的温度下沉积氮氧化硅层(3)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中用低于1的N₂O与SiH₄的气体流量比来沉积氮氧化硅层(3)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中用约0.5的N₂O与SiH₄的气体流量比来沉积氮氧化硅层(3)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶体硅层(2)为晶体硅晶圆或晶片。

7.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述氮氧化硅层(3)的步骤包括使用等离子体增强的化学气相沉积。

8.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述氮氧化硅层(3)的步骤包括以小于10nm的厚度沉积所述层(3)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中沉积所述氮氧化硅层(3)的步骤包括以小于5nm的厚度沉积所述层(3)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述氮氧化硅层(3)的步骤包 括以小于3nm的厚度沉积所述层(3)。

11.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述氢化的介电材料的覆盖层(5)的步骤包括以大于25nm的厚度沉积所述层(5)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中沉积所述氢化的介电材料的覆盖层(5)的步骤包括以40nm或更大的厚度沉积所述层(5)。

13.根据权利要求1所述的方法，其中沉积包含所述氢化的介电材料的覆盖层(5)的步骤包括在与沉积所述氮氧化硅层(3)相同的步骤中沉积所述氢化的介电材料层(5)。

14.根据权利要求1所述的方法，其中沉积包含所述氢化的介电材料的覆盖层(5)的步骤包括沉积氢化氮化硅层。

15.根据权利要求1所述的方法，其中沉积包含所述氢化的介电材料的覆盖层(5)的步骤包括在约400℃的温度下沉积所述层。

16.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积所述氮氧化硅层(3)和所述氢化的介电材料覆盖层(5)之后，所述方法还包括在高于700℃的温度下加热所述晶体硅层(2)的步骤。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述晶体硅层(2)在约800℃的温度下加热。

18.制造晶体硅太阳能电池的方法，其包括前述权利要求中任一项所述的方法。

19.晶体硅太阳能电池器件(1)，其包括可以通过前述方法权利要求中任一项所述的方法获得的钝化堆叠件。

20.晶体硅太阳能电池，其包括权利要求19所述的太阳能电池器件。