[发明专利]薄膜形成方法、薄膜及带有薄膜的玻璃板

权利要求书

1.一种TiO₂薄膜的形成方法，其为使用常压CVD法在基板上形成TiO₂薄膜的方法，其中，原料气体包含钛酸四异丙酯(TTIP)和能够在100～400℃的温度区域中汽化的金属M的氯化物，所述金属M的氯化物的量以相对于钛酸四异丙酯(TTIP)的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.01～0.18。

2.如权利要求1所述的TiO₂薄膜的形成方法，其中，所述金属M的氯化物的量以相对于TTIP的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.07～0.18。

3.如权利要求1或2所述的TiO₂薄膜的形成方法，其中，所述金属M的氯化物为锡氯化物。

4.如权利要求3所述的TiO₂薄膜的形成方法，其中，所述锡氯化物为单丁基三氯化锡(MBTC)或四氯化锡(SnCl₄)。

5.如权利要求1或2所述的TiO₂薄膜的形成方法，其中，所述基板为玻璃基板，并且TiO₂薄膜形成时的基板温度为520～600℃。

6.如权利要求1或2所述的TiO₂薄膜的形成方法，其中，在基板上形成有SiO₂薄膜，在该SiO₂薄膜上形成TiO₂薄膜。

7.一种TiO₂薄膜，其通过权利要求1～6中任一项所述的TiO₂薄膜的形成方法而得到，并且所述TiO₂薄膜的Cl含量为0.5×10¹⁸(原子/立方厘米)以上且10×10¹⁸(原子/立方厘米)以下。

8.如权利要求7所述的TiO₂薄膜，其中，在将TiO₂薄膜的膜厚设为L时，以膜厚换算的金属M的氧化物的含量为0.002L以上且0.035L以下，所述以膜厚换算的金属M的氧化物的含量为置换为该金属M的氧化物的含量为100％的薄膜时的假想膜厚，所述L的单位为nm。

9.如权利要求7或8所述的TiO₂薄膜，其中，以下式定义的宽度方向的膜厚分布以每1m宽度计为4％以下，

膜厚分布(％)＝{((测定点中的最大膜厚)/(测定点的平均膜厚)×100)-((测定点中的最小膜厚)/(测定点的平均膜厚)×100)}/测定宽度(m)。

10.如权利要求7或8所述的TiO₂薄膜，其中，表面粗糙度Ra(nm)相对于膜厚t(nm)的比率(Ra/t)为0.01以上且0.05以下。

11.一种带有TiO₂薄膜的玻璃板，其通过权利要求5所述的TiO₂薄膜的形成方法而得到。