[发明专利]用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化

权利要求书

1.一种用于集成电路的互连结构，所述互连结构包括：

所述互连结构的第一层，所述互连结构的所述第一层被布置在衬底之上，所述第一层包括由沿第一方向的交替的金属线和电介质线构成的第一光栅，其中，所述电介质线的最高表面高于所述金属线的最高表面；以及

所述互连结构的第二层，所述互连结构的所述第二层被布置在所述互连结构的所述第一层之上，所述第二层包括由沿第二方向的交替的金属线和电介质线构成的第二光栅，所述第二方向垂直于所述第一方向，其中，所述电介质线的最低表面低于所述第二光栅的金属线的最低表面，而所述电介质线的最高表面高于所述第二光栅的金属线的最高表面，其中，所述第二光栅的电介质线与所述第一光栅的电介质线重叠并且接触，但与所述第一光栅的电介质线不同；以及

电介质材料区域，所述电介质材料区域被布置在所述第一光栅的金属线与所述第二光栅的金属线之间,并且与所述第一光栅的电介质线的上部部分和所述第二光栅的电介质线的下部部分处于相同平面，所述电介质材料区域包括交联的可光分解材料。

2.根据权利要求1所述的互连结构，还包括：

导电过孔，所述导电过孔被布置在所述第一光栅的金属线与所述第二光栅的金属线之间，并且将所述第一光栅的金属线耦合到所述第二光栅的金属线，所述导电过孔与所述电介质材料区域处于相同平面。

3.根据权利要求2所述的互连结构，其中，所述导电过孔的中心与所述第一光栅的金属线的中心并且与所述第二光栅的金属线的中心直接对准。

4.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一光栅的电介质线包括第一电介质材料，所述第二光栅的电介质线包括不同的第二电介质材料，并且其中，所述第一电介质材料和所述第二电介质材料与所述交联的可光分解材料不同。

5.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一光栅的电介质线和所述第二光栅的电介质线包括与所述交联的可光分解材料不同的相同电介质材料。

6.一种制造用于集成电路的互连结构的方法，所述方法包括：

提供金属化结构，所述金属化结构包括由沿第一方向的交替的金属线和电介质线构成的第一光栅，所述第一光栅的每一条电介质线的顶部表面与每一条金属线的顶部表面都基本上共平面；

使得所述第一光栅的金属线凹陷至所述第一光栅的电介质线的顶部表面之下，以形成所述第一光栅的凹陷金属线；

在所述第一光栅的电介质线和所述凹陷金属线之上形成层间电介质(ILD)层，所述层间电介质层具有沿第二方向的第二光栅，所述第二方向垂直于所述第一方向，露出所述凹陷金属线的部分；

在所述凹陷金属线之上的所有可能的过孔位置处形成多个光桶；

对少于全部的所述多个光桶进行曝光、显影以及去除，以形成一个或多个过孔开口；以及，随后，

烘焙所有的剩余光桶；

在经烘焙的光桶之上形成金属线，并且在与经烘焙的光桶相同的平面中形成过孔，

其中，所述层间电介质层的最高表面高于形成在经烘焙的光桶之上的金属线的最高表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述层间电介质层包括：

形成所述层间电介质层材料的未图案化的层；

在所述层间电介质层之上形成硬掩模层，所述硬掩模层具有所述第二光栅的图案；以及

蚀刻所述层间电介质层材料的所述未图案化的层，以提供用于所述层间电介质层的所述第二光栅的图案。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述多个光桶包括形成可光分解材料层，并且其中，烘焙所述剩余光桶包括使得所述剩余光桶交联。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，烘焙所述剩余光桶包括形成永久层间电介质材料。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一光栅的电介质线包括第一电介质材料，所述层间电介质层包括不同的第二电介质材料。