[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明的目的是提供一种能够在较清洁的状况下传送基板的、用于冷却基板的基板处理装置和方法。作为本发明的基板处理装置的实施方式的基板冷却装置(100)设置有室(101)、提供冷却的冷却单元(109、112)、基板保持件(103)和遮蔽件(111)，基板保持件(103)具有用于将基板(S)载置于所述室的基板载置面(103a)并且基板保持件(103)被冷却单元冷却，遮蔽件(111)具有围绕所述室内的基板载置面的侧方的侧壁部并且遮蔽件(111)被冷却单元冷却。此外，在遮蔽件的内表面附近布置有遮蔽件加热器(116)。

技术领域

本发明涉及在真空室内冷却基板的装置和方法。

背景技术

已知一种集群式(cluster type)或串列式(in-line type)的基板处理系统设备，其设置有多个处理室以便在基板上连续地执行成膜处理、蚀刻处理等的多个处理。成膜处理和蚀刻处理一般在高温下发生。因此，在某些情况下，基板处理系统可能设置有用于将已受到成膜处理或蚀刻处理的基板冷却至预定温度的冷却室(以下也称为基板冷却装置)。通过在成膜处理或蚀刻处理之后将基板传送到冷却室并在冷却室内冷却基板，能够缩短直到基板冷却到预定温度的等待时间。

专利文献1公开了示例的冷却室。专利文献1中说明的冷却室包括设置于室内壁的上冷却构件和设置于基板保持件的下冷却构件。通过将基板的顶面和底面夹在上冷却构件与下冷却构件之间，冷却室能够快速冷却基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-107126号公报

发明内容

通过使用真空泵，使专利文献1中说明的冷却室维持真空以便防止基板氧化和污染。在真空下，被冷却至低温的基板保持件起到类似真空泵的作用并将诸如水分子等的气体分子吸着于其表面。另一方面，从外部传送到冷却室内的基板具有高温。出于这个原因，当基板在被传送的状态下接近基板保持件时，基板将热能赋予被吸着于基板保持件的气体分子，由此使气体分子的一部分从基板保持件解放并释放到基板附近的空间内。结果，气体分子可能粘附于基板的顶面。虽然专利文献1的技术适用于将高温基板载置于水冷却的基板保持件的情况，然而，将室温(0℃至50℃)的基板载置于被冷却到-100℃以下的基板保持件的情况下也发生相同的现象。

即使通过清理冷却室的内部来去除吸着于基板保持件的气体分子，在传送基板的过程中也会将其它气体分子从外部带入冷却室内。因此，吸着于基板保持件的气体分子随着处理多个基板而再次增加。

做出本发明以解决上述问题。本发明的目的是提供一种用于冷却基板的基板处理装置和基板处理方法，其能够在较清洁的状态下传送基板。

本发明的第一方面是一种基板处理装置，其包括：室，所述室的内部能够被抽真空；基板保持件，所述基板保持件设置在所述室的内部，并且所述基板保持件包括能够冷却基板的基板载置面；遮蔽件，所述遮蔽件设置在所述室的内部并且包括侧壁部，所述侧壁部被设置成围绕所述基板载置面的侧方；和遮蔽件冷却单元，所述遮蔽件冷却单元用于冷却所述遮蔽件。

根据本发明的基板处理装置，遮蔽件被遮蔽件冷却单元冷却，并且遮蔽件设置有围绕基板载置面的侧部的侧壁部。因而，能够将在传送基板时从基板保持件释放出的气体分子捕获到遮蔽件的侧壁部，因而能够减少基板受到的气体分子的污染。

附图说明

图1是示出了根据本发明的实施方式的基板冷却装置的示意性构造图。

图2是根据本发明的实施方式的遮蔽件的截面图。

图3是包括根据本发明的实施方式的基板冷却装置的基板处理系统的示意性构造图。

图4是通过使用根据本发明的实施方式的基板冷却装置来执行冷却处理的示例性元件构造的示意图。