[发明专利]用于有机发光元件的光提取基底、其制造方法以及包括其的有机发光元件有效
| 申请号： | 201480062362.1 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105723540B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李弦熙;尹洪;金序炫;朴敬旭;朴正佑;朴峻亨;白逸姬;尹根尙;李柱永;崔殷豪 | 申请（专利权）人： | 康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,刘灿强 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 有机 发光 元件 提取 基底 制造 方法 以及 包括 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造用于有机发光装置的光提取基底的方法，包括：
第一光提取层形成操作：形成第一光提取层，所述第一光提取层包括第一金属氧化物和加入到第一金属氧化物的掺杂剂；
第二光提取层形成操作：形成第二光提取层，所述第二光提取层包括第二金属氧化物，第二金属氧化物的原子的扩散速率比第一金属氧化物的原子的扩散速率慢；以及
气孔形成操作：通过对第一光提取层和第二光提取层进行热处理使原子扩散而在第一光提取层内形成多个气孔。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在第一光提取层形成操作中使用Ga作为掺杂剂。
3.如权利要求2所述的方法，其中，第一光提取层形成操作包括用按重量计范围在第一金属氧化物的量的4.1％至11.3％的含量的Ga掺杂第一金属氧化物。
4.如权利要求3所述的方法，其中，第一光提取层形成操作包括通过常压化学气相沉积在基底上沉积ZnO。
5.如权利要求4所述的方法，其中，第二光提取层形成操作包括通过电子束加工或溅射在第一光提取层上沉积Al2O3。
6.如权利要求1所述的方法，其中，气孔形成操作包括在范围为600℃至800℃的温度下对第一光提取层和第二光提取层进行热处理。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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