[发明专利]用于光伏电池的后接触基板

权利要求书

1.一种用于光伏电池的后接触基板（1），其包括载体基板（2）和包含金属主层（22）的电极涂层（6），所述电极涂层（6）呈现穿过所述金属主层（22）的至少一个蚀刻沟槽（8），

其中，所述后接触基板包括对硒化的屏障包裹层（7），所述对硒化的屏障包裹层（7）在蚀刻沟槽（8）的内部覆盖金属主层（22）的侧边。

2.根据权利要求1所述的后接触基板（1），其中所述电极涂层（6）包括在金属主层（22）上形成的对硒化的屏障覆盖层（24）。

3.根据前述权利要求中任一项所述的后接触基板（1），其中所述对硒化的屏障包裹层（7）基于选自钛、钼、锆或钽之中的金属的至少一种金属氮氧化物或至少一种氮化物，以及氧含量为x=O/(O+N)，其中x=0或0＜x＜1，优选地0.05＜x＜0.95，优选地0.1＜x＜0.9。

4.根据前述权利要求中任一项所述的后接触基板（1），其中所述对硒化的屏障包裹层（7）是具有高的氧和/或氮含量的钼基化合物。

5.根据前述权利要求中任一项所述的后接触基板（1），其中所述对硒化的屏障包裹层（7）具有被包括在20μOhm.cm和50μOhm.cm之间的电阻率。

6.根据前述权利要求中任一项所述的后接触基板（1），其在金属主层（22）上包括基于金属M的上部金属层（26），所述基于金属M的上部金属层（26）能够在硫化和/或硒化之后形成与光敏半导体材料的欧姆接触层，其中可能地插入了其它层，尤其是插入了在金属主层（22）上形成的对硒化的屏障覆盖层（24）。

7.根据前项权利要求所述的后接触基板（1），其中所述基于金属M的上部层（26）基于钼和/或钨。

8.根据与权利要求2一起取的前述权利要求中任一项所述的后接触基板（1），其中所述对硒化的屏障覆盖层（24）和所述对硒化的屏障包裹层（7）是相同层的两个部分。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的后接触基板（1），其中所述对硒化的屏障覆盖层（24）和所述对硒化的屏障包裹层（7）是两个不同的层，所述对硒化的屏障包裹层（7）处于蚀刻沟槽（8）中。

10.一种半导体设备（28），其包括载体基板（2）和形成在载体基板（2）上的电极涂层（6’），所述电极涂层（6’）包括：

-金属主层（22）；

-在金属主层（22）上的基于金属M的硫化物和/或硒化物类型的化合物的欧姆接触层（26’）；

-光敏层（10），其由基于铜和硒和/或硫的黄铜矿的光敏半导体材料制成，例如Cu(In,Ga)(S,Se)₂类型的材料，尤其是CIS或CIGS，又或Cu₂(Zn,Sn)(S,Se)₄类型的材料，所述光敏层（10）形成在欧姆接触层（26）上；以及

其中所述电极涂层呈现穿过至少所述金属主层（22）的至少一个蚀刻沟槽（8），并且其中后接触基板（1）包括对硒化的屏障包裹层（7），所述对硒化的屏障包裹层（7）在蚀刻沟槽（8）的内部覆盖金属主层（22）的侧边。

11.一种光伏模块（30），其包括根据权利要求11所述的半导体设备（28），以及形成在光敏层（10）上的透明电极涂层（18）。

12.一种用于制造用于光伏电池（30）的后接触基板（1）的方法，包括在于以下各项的步骤：

-在载体基板（2）上沉积金属主层（22）；

-通过蚀刻穿过金属主层（22）而形成沟槽，以及

-沉积对硒化的屏障包裹层（7），其在蚀刻沟槽（8）的内部覆盖金属主层（22）的侧边。

13.根据权利要求12所述的制造方法，包括以下步骤：所述步骤在于在第一蚀刻沟槽上并且以小于第一蚀刻沟槽的宽度来形成第二蚀刻沟槽。

14.根据权利要求12或13所述的制造方法，包括将基于金属M的上部层（26）变换成金属M的硫化物和/或硒化物的步骤。