[发明专利]具有夹盘组件的远紫外线光刻系统及其制造方法

说明书

相关申请的交互引用

本申请主张2013年12月22日申请的美国临时申请第61/919,781号的优 先权权益，该案件的主题以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明一般涉及具有夹盘组件的远紫外线光刻系统及其制造方法。

背景

远紫外线光刻(EUV光刻，也被称为软X光投射光刻)是取代用于制造 0.13微米及更小的最小特征尺寸半导体器件的深紫外线光刻的竞争者。

然而，远紫外线光线(通常在5至40纳米的波长范围)实际上会被所有 材料强烈地吸收。基于此原因，运作远紫外线系统是通过光反射而非光透射。 通过使用一系列的镜子、或透镜元件，与反射元件、或掩模空白(maskblank)， 涂布以非反射吸收剂掩模图案，图案化的光化光被反射至涂布光刻胶的半导体 晶片上。

远紫外线光刻系统的透镜元件与掩模空白被涂布反射多层涂层材料，例如 钼与硅。通过使用涂布多层涂层的基板，已可得到每个透镜元件或掩模空白有 约65％的反射值，其中，所用涂层实质上强烈地反射在极窄的紫外线带通(例 如13纳米紫外光线的12至14纳米带通)内的单一波长的光。

此处理需要具有极低热膨胀的昂贵玻璃且掩模空白需要数个月来制造。远 紫外线光刻所需求的玻璃必须为薄的、极平滑的、极鲜明的、及无缺陷。透镜 元件或掩模的任何瑕疵会在最终产品中造成问题。

譬如，因为多层叠层的本质与小特征尺寸，层中的任何瑕疵在最终产品中 会被放大。在几个纳米尺度的瑕疵会在完成掩模上显露为可印的缺陷，且需要 在多层叠层沉积前从掩模空白的表面消除。因此，需要找出维持远紫外线光刻 所需求的精确与质量且同时可节省花费与时间的解决方案。

由于电子部件的更小特征尺寸的需求不断增加，找到这些问题的解答越来 越关键。由于持续上升的商业竞争压力，及提高的消费者期望，找到这些问题 的解答是重要的。此外，降低成本、改善效率及效能、与应付竞争压力的需求 增加了更大的急迫性于找寻这些问题的解答的必要性。

这些问题的方案已被长期探索，但先前发展并未教导或建议任何解答，且 因此这些问题的解答已长期困惑着此领域的技术人员。

概述

本发明的实施方式提供一种制造半导体组件的方法，包括：引导远紫外线 (EUV)光线从EUV光源通过反射透镜系统；将EUV掩模插入反射透镜系 统内，EUV掩模具有基板与形成布拉格(Bragg)反射器的多层叠层，多层叠 层与基板被保持在夹盘的表面上，基板具有预定基板平坦度的热传导平滑基 板，夹盘为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度；以及将EUV掩模的图案 反射在半导体基板上以形成半导体器件。

本发明的实施方式提供一种EUV光刻系统，包括：EUV光源；夹盘，其 为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度的表面；以及反射透镜系统，其用于 在夹盘的表面之上引导来自EUV光源的EUV光线。

本发明的实施方式提供一种EUV掩模，包括：多层叠层，其形式为布拉 格反射器；及基板，其在多层叠层之下，多层叠层与基板被保持在夹盘的表面 上，基板具有热传导平滑表面与预定基板平坦度，夹盘为热传导及平滑的且具 有预定夹盘平坦度。

本发明的某些实施方式具有上述之外或取代其的其他步骤或元件。这些步 骤与元件对于阅读以下的描述并参照随附附图的此领域的技术人员而言是显 而易见的。

附图简单说明

图1是本发明的实施方式的具有夹盘组件的例示性EUV光刻系统。

图2是根据本发明的实施方式的图1的光刻系统的例示性ESC的截面图。

图3是根据本发明的实施方式的具有例示性纹理的例示性ESC的顶视图。

图4是具有在适当位置掩模的例示性ESC的顶视图。

图5是本发明的进一步实施方式的用于制造半导体器件的方法的流程图。

具体描述

下列实施方式被充分详细地说明，使此领域的技术人员能制造及使用本发 明。应了解到基于本发明的公开内容，其他的实施方式是显而易见的，且在不 背离本发明的实施方式的范围下，可进行本发明的系统、处理或机械的改变。